[發明專利]三維存儲器及其制作方法有效
| 申請號: | 202110402635.4 | 申請日: | 2021-04-14 |
| 公開(公告)號: | CN113517312B | 公開(公告)日: | 2022-09-06 |
| 發明(設計)人: | 劉峻 | 申請(專利權)人: | 長江先進存儲產業創新中心有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L27/24 | 分類號: | H01L27/24 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人: | 劉鶴;張穎玲 |
| 地址: | 430014 湖北省武漢市東湖新技術開發區*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 三維 存儲器 及其 制作方法 | ||
1.一種三維存儲器,其特征在于,包括:至少一個存儲單元陣列塊;
所述存儲單元陣列塊至少包括:層疊設置的第一地址線層、多個第一相變存儲單元以及第二地址線層;其中,第一地址線層與第二地址線層平行;所述第一地址線層包括多條均沿第一方向延伸的第一地址線;所述第二地址線層包括多條均沿第二方向延伸的第二地址線;所述第一方向與第二方向垂直;所述第一相變存儲單元與所述第一地址線和第二地址線均垂直;
所述第一地址線沿第一方向的長度與所述第二地址線沿第二方向的長度基本相同,且所述第一地址線的電阻與所述第二地址線的電阻基本相同。
2.根據權利要求1所述的三維存儲器,其特征在于,所述第一地址線包括層疊設置的第一子地址線和第二子地址線,所述第一子地址線和所述第二子地址線的材料相同或不同;
和/或,
所述第二地址線包括層疊設置的第三子地址線和第四子地址線,所述第三子地址線和所述第四子地址線的材料相同或不同。
3.根據權利要求1所述的三維存儲器,其特征在于,所述三維存儲器還包括外圍電路的功能器件;
所述功能器件包括與所述第一地址線連接的第一功能器件及與所述第二地址線連接的第二功能器件;
所述第一功能器件設置在第一區域和第二區域上;所述第二功能器件設置在第三區域、第四區域、第五區域及第六區域上;
所述第一區域與所述第二區域在第二方向的投影存在共同的端點;所述第三區域與所述第四區域在第一方向的投影存在共同的端點,所述第四區域與所述第五區域在第一方向的投影存在共同的端點,所述第五區域與所述第六區域在第一方向的投影存在共同的端點;所述第一區域、第二區域、第三區域、第四區域、第五區域及第六區域在第二方向的投影長度等于第一區域和第二區域在第二方向的投影長度,所述第一區域、第二區域、第三區域、第四區域、第五區域及第六區域在第一方向的投影長度等于第三區域、第四區域、第五區域及第六區域在第一方向的投影長度。
4.根據權利要求3所述的三維存儲器,其特征在于,所述多條第一地址線中各第一地址線沿所述第二方向的間距相同;所述多條第二地址線中各第二地址線沿所述第一方向的間距相同。
5.根據權利要求3所述的三維存儲器,其特征在于,所述三維存儲器還包括:與所述第一地址線接觸的第一連接部以及與所述第二地址線接觸的第二連接部;其中,所述第一功能器件通過相應的第一連接部分別連接到所述存儲單元陣列塊中的所有第一地址線上,所述第二功能器件通過相應的第二連接部分別連接到所述存儲單元陣列塊中的所有第二地址線上;
所述第一連接部與所述第一地址線的幾何中心處接觸;
和/或,
所述第二連接部與所述第二地址線的幾何中心處接觸。
6.根據權利要求1所述的三維存儲器,其特征在于,所述存儲單元陣列塊還包括:堆疊設置在第二地址線層上的多個第二相變存儲單元以及第三地址線層;其中,所述第三地址線層與第二地址線層平行;所述第三地址線層包括多條均沿第一方向延伸的第三地址線;所述第三地址線與所述第一地址線在第一平面上的投影部分重合;所述第二相變存儲單元與所述第二地址線和第三地址線均垂直;所述第一平面與堆疊的方向垂直;
所述第三地址線沿第一方向的長度與所述第二地址線沿第二方向的長度基本相同,且所述第三地址線的電阻與所述第二地址線的電阻基本相同。
7.根據權利要求6所述的三維存儲器,其特征在于,
所述第一地址線包括層疊設置的第一子地址線和第二子地址線,所述第一子地址線和所述第二子地址線的材料相同或不同;
所述第三地址線包括層疊設置的第五子地址線和第六子地址線,所述第五子地址線和所述第六子地址線的材料相同或不同;
和/或,
所述第二地址線包括層疊設置的第三子地址線和第四子地址線,所述第三子地址線和所述第四子地址線的材料相同或不同。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





