[發(fā)明專利]三維存儲器及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110402587.9 | 申請日: | 2021-04-14 |
| 公開(公告)號: | CN113299683B | 公開(公告)日: | 2022-09-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉峻 | 申請(專利權(quán))人: | 長江先進(jìn)存儲產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | H01L27/24 | 分類號: | H01L27/24 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270 | 代理人: | 張李靜;張穎玲 |
| 地址: | 430014 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 三維 存儲器 及其 制作方法 | ||
1.一種三維存儲器,其特征在于,包括:至少一個存儲單元陣列塊;
所述存儲單元陣列塊至少包括:層疊設(shè)置的第一地址線層、多個第一相變存儲單元、第二地址線層、多個第二相變存儲單元、第三地址線層、多個第三相變存儲單元、第四地址線層、多個第四相變存儲單元以及第五地址線層;其中,
所述第一地址線層、第二地址線層、第三地址線層、第四地址線層、第五地址線層彼此平行;所述第一地址線層包括多條均沿第一方向延伸的第一地址線;所述第二地址線層包括多條均沿第二方向延伸的第二地址線;所述第三地址線層包括多條均沿第一方向延伸的第三地址線;所述第四地址線層包括多條均沿第二方向延伸的第四地址線;所述第五地址線層包括多條均沿第一方向延伸的第五地址線;所述第一方向與所述第二方向垂直;所述第一相變存儲單元、第二相變存儲單元、第三相變存儲單元、第四相變存儲單元與所述第一地址線、第二地址線、第三地址線、第四地址線、第五地址線均垂直;所述第三地址線與所述第一地址線在第一平面上的投影部分重合;所述第四地址線與所述第二地址線在第一平面上的投影部分重合;所述第五地址線與所述第一地址線在第一平面上的投影重合;所述第一平面與層疊的方向垂直;
所述第一地址線、第三地址線、第五地址線沿第一方向的長度均與所述第二地址線、第四地址線沿第二方向的長度基本相同,且所述第一地址線、第三地址線、第五地址線的電阻均與所述第二地址線、第四地址線的電阻基本相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲器,其特征在于,所述第一地址線包括層疊設(shè)置的第一子地址線和第二子地址線,所述第一子地址線和所述第二子地址線的材料相同或不同;所述第三地址線包括層疊設(shè)置的第五子地址線和第六子地址線,所述第五子地址線和所述第六子地址線的材料相同或不同;所述第五地址線包括層疊設(shè)置的第九子地址線和第十子地址線,所述第九子地址線和所述第十子地址線的材料相同或不同;
和/或,
所述第二地址線包括層疊設(shè)置的第三子地址線和第四子地址線,所述第三子地址線和所述第四子地址線的材料相同或不同;所述第四地址線包括層疊設(shè)置的第七子地址線和第八子地址線,所述第七子地址線和所述第八子地址線的材料相同或不同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲器,其特征在于,所述三維存儲器還包括:外圍電路的功能器件;
所述功能器件包括與所述第一地址線連接的第一功能器件、與所述第二地址線連接的第二功能器件、與所述第三地址線連接的第三功能器件、與所述第四地址線連接的第四功能器件;
所述第五地址線與所述第一地址線連接;
所述第一功能器件設(shè)置在第一區(qū)域和第二區(qū)域上;所述第二功能器件設(shè)置在第三區(qū)域、第四區(qū)域、第五區(qū)域及第六區(qū)域上;所述第三功能器件設(shè)置在第七區(qū)域和第八區(qū)域上;所述第四功能器件設(shè)置在第九區(qū)域、第十區(qū)域、第十一區(qū)域和第十二區(qū)域上;
所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域在第二方向的投影存在共同的端點;所述第三區(qū)域與所述第四區(qū)域在第一方向的投影存在共同的端點,所述第四區(qū)域與所述第五區(qū)域在第一方向的投影存在共同的端點,所述第五區(qū)域與所述第六區(qū)域在第一方向的投影存在共同的端點;所述第七區(qū)域與所述第八區(qū)域在第二方向的投影存在共同的端點;所述第九區(qū)域與所述第十區(qū)域在第一方向的投影存在共同的端點,所述第十區(qū)域與所述第十一區(qū)域在第一方向的投影存在共同的端點,所述第十一區(qū)域與所述第十二區(qū)域在第一方向的投影存在共同的端點;所述第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域、第四區(qū)域、第五區(qū)域、第六區(qū)域、第七區(qū)域、第八區(qū)域、第九區(qū)域、第十區(qū)域、第十一區(qū)域和第十二區(qū)域在第二方向的投影長度等于第一區(qū)域和第二區(qū)域在第二方向的投影長度,所述第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域、第四區(qū)域、第五區(qū)域、第六區(qū)域、第七區(qū)域、第八區(qū)域、第九區(qū)域、第十區(qū)域、第十一區(qū)域和第十二區(qū)域在第一方向的投影長度等于第三區(qū)域、第四區(qū)域、第五區(qū)域及第六區(qū)域在第一方向的投影長度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的三維存儲器,其特征在于,所述多條第一地址線中各第一地址線沿所述第二方向的間距相同;所述多條第二地址線中各第二地址線沿所述第一方向的間距相同;多條第三地址線中各第三地址線沿所述第二方向的間距相同;多條第四地址線中各第四地址線沿所述第一方向的間距相同;多條第五地址線中各第五地址線沿所述第二方向的間距相同。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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