[發明專利]顯示基板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置

有效

• 申請號: 202110402179.3
• 申請日: 2021-04-14
• 公開（公告）號: CN112952015B
• 公開（公告）日: 2023-10-27
• 發明（設計）人: 馮靖雯
• 申請（專利權）人: 北京京東方技術開發有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H10K50/115
• 分類號: H10K50/115;H10K71/00;H10K71/12;H10K59/10
• 代理公司: 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415
• 代理人: 張玲玲

本申請提供一種顯示基板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置。所述顯示基板包括襯底及形成于所述襯底上的發光器件層。所述發光器件層包括陽極層、陰極層、以及位于所述陽極層與所述陰極層之間的第一量子點發光層和第二量子點發光層，所述第一量子點發光層中量子點排列的緊密度大于所述第二量子點發光層中量子點排列的緊密度。所述發光器件層為多電子體系，所述第二量子點發光層位于所述第一量子點發光層與所述陰極層之間；或者，所述發光器件層為多空穴體系，所述第二量子點發光層位于所述第一量子點發光層與所述陽極層之間。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，特別涉及一種顯示基板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置。

背景技術

量子點是一種重要的熒光納米材料。在顯示領域，將量子點作為顯示設備的發光層材料，越來越受到關注。

目前量子點顯示設備存在電子和空穴注入不平衡的問題，影響量子點顯示設備的器件效率和使用壽命。

發明內容

根據本申請實施例的第一方面，提供了一種顯示基板。所述顯示基板包括襯底及形成于所述襯底上的發光器件層；

所述發光器件層包括陽極層、陰極層、以及位于所述陽極層與所述陰極層之間的第一量子點發光層和第二量子點發光層，所述第一量子點發光層中量子點排列的緊密度大于所述第二量子點發光層中量子點排列的緊密度；

所述發光器件層為多電子體系，所述第二量子點發光層位于所述第一量子點發光層與所述陰極層之間；或者，所述發光器件層為多空穴體系，所述第二量子點發光層位于所述第一量子點發光層與所述陽極層之間。

在一個實施例中，所述第一量子點發光層中量子點排列的有序度大于所述第二量子點發光層中量子點排列的有序度。

在一個實施例中，所述第一量子點發光層的厚度范圍為10nm～100nm；和/或，

所述第二量子點發光層的厚度范圍為10nm～100nm。

在一個實施例中，所述第一量子點發光層的厚度范圍為10nm～30nm；和/或，

所述第二量子點發光層的厚度范圍為10nm～30nm。

在一個實施例中，所述第一量子點發光層中的量子點及所述第二量子點發光層中的量子點分別包括核殼結構，所述核殼結構的材料包括CdS/ZnS、CdSe/ZnS、InP/ZnS、PbS/ZnS、CsPbCl₃/ZnS、CsPbBr₃/ZnS、CsPbI₃/ZnS、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、CdS/ZnSZnS、InP/ZnS/ZnO、PbS/ZnS、CsPbCl₃/ZnS、CsPbBr₃/ZnS、CsPbI₃/ZnS、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、ZnTe/ZnSe/ZnS及ZnSeTe/ZnSe/ZnS中的至少一種。

在一個實施例中，所述第一量子點發光層中量子點的直徑范圍為5nm～15nm；所述第二量子點發光層中量子點的直徑范圍為5nm～15nm。

在一個實施例中，所述第一量子點發光層中量子點的材料與所述第二量子點發光層中量子點的材料相同或不同；和/或，

所述第一量子點發光層中量子點的尺寸與所述第二量子點發光層中量子點的尺寸相同或不同。

在一個實施例中，所述發光器件層還包括電子傳輸層和空穴傳輸層；

所述發光器件層為多電子體系，所述電子傳輸層位于所述第二量子點發光層與所述陰極層之間，所述空穴傳輸層位于所述第一量子點發光層與所述陽極層之間；或者，所述發光器件層為多空穴體系，所述電子傳輸層位于所述第一量子點發光層與所述陰極層之間，所述空穴傳輸層位于所述第二量子點發光層與所述陽極層之間。