[發(fā)明專利]一種基于SOT效應(yīng)產(chǎn)生偏置的磁性薄膜材料結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110402104.5
• 申請(qǐng)日: 2021-04-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113314667B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳偉斌;冷群文;朱大鵬;顏世申
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 山東大學(xué)
• 主分類號(hào): H10N52/85
• 分類號(hào): H10N52/85;H10N52/00;H10N50/10;H10N50/85
• 代理公司: 濟(jì)南金迪知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37219
• 代理人: 張宏松

1.基于SOT效應(yīng)產(chǎn)生偏置的磁性薄膜材料結(jié)構(gòu)，具體為底釘扎結(jié)構(gòu)的自旋閥磁性薄膜材料，自下而上依次包括Si/SiO₂基底、2nm?Ta種子層、8nm?Pt自旋產(chǎn)生層、8nm?IrMn反鐵磁釘扎層、5nm?CoFe鐵磁被釘扎層、1.8nm?Cu非磁性間層、CoFe?1nm/NiFe?2nm軟磁自由層和2nm?Ta覆蓋層。

2.基于SOT效應(yīng)產(chǎn)生偏置的磁性薄膜材料結(jié)構(gòu)，具體為底釘扎結(jié)構(gòu)的人工合成反鐵磁磁性薄膜材料，自下而上依次包括Si/SiO₂基底、2nm?Ta種子層、8nm?Pt自旋產(chǎn)生層、8nmIrMn反鐵磁釘扎層、5nm?CoFe鐵磁被釘扎層、2nm?Ta間隔層、5nm?CoFeB鐵磁被釘扎層、1.8nm?Cu非磁性間層、CoFe?1nm/NiFe?2nm軟磁自由層和2nm?Ta覆蓋層。

3.基于SOT效應(yīng)產(chǎn)生偏置的磁性薄膜材料結(jié)構(gòu)，具體為頂釘扎結(jié)構(gòu)的自旋閥磁性薄膜材料；自下而上依次包括Si/SiO₂基底、2nm?Ta種子層、CoFe?1nm/NiFe?2nm軟磁自由層、1.8nm?Cu非磁性間層、5nm?CoFe鐵磁被釘扎層、8nm?IrMn反鐵磁釘扎層、8nm?Pt自旋產(chǎn)生層、和2nm?Ta覆蓋層。

4.基于SOT效應(yīng)產(chǎn)生偏置的磁性薄膜材料結(jié)構(gòu)，具體為頂釘扎結(jié)構(gòu)的人工合成反鐵磁磁性薄膜材料，自下而上依次包括Si/SiO₂基底、2nm?Ta種子層、CoFe?1nm/NiFe?2nm軟磁自由層、1.8nm?Cu非磁性間層、5nm?CoFeB鐵磁被釘扎層、2nm?Ta間隔層、5nm?CoFe鐵磁被釘扎層、8nm?IrMn反鐵磁釘扎層、8nm?Pt自旋產(chǎn)生層和2nm?Ta覆蓋層。