[發(fā)明專利]二氧化錫氧化物薄膜及制備方法與其在檢測(cè)氫氣中的應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110402049.X | 申請(qǐng)日： | 2021-04-14 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN113136547B | 公開（公告）日： | 2022-09-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 宋安剛;朱地;趙保峰;關(guān)海濱;徐丹;王樹元 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 山東省科學(xué)院能源研究所 |
| 主分類號(hào)： | G01N27/414 | 分類號(hào)： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 濟(jì)南圣達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37221 | 代理人： | 王磊 |
| 地址： | 250014 山*** | 國(guó)省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氧化 氧化物 薄膜 制備 方法 與其 檢測(cè) 氫氣 中的 應(yīng)用 | ||
1.一種二氧化錫氧化物薄膜的制備方法，其特征是，利用遠(yuǎn)源等離子體濺射將錫制成沉積態(tài)二氧化錫薄膜，然后進(jìn)行退火處理獲得金紅石相二氧化錫薄膜；
所述二氧化錫氧化物薄膜，室溫條件下，通入氫氣前的電阻為80～100Ω，通入氫氣后的電阻為50～70Ω；
遠(yuǎn)源等離子體濺射中，濺射腔體內(nèi)的壓力為2～5×10-3mbar；濺射速度為10～50nm/min，濺射時(shí)間為10～20min；濺射溫度為20～50℃，襯底的溫度為常溫。
2.如權(quán)利要求1所述的二氧化錫氧化物薄膜的制備方法，其特征是，通入氫氣前的電阻為80～85Ω；通入氫氣后的電阻為65～70Ω。
3.如權(quán)利要求1所述的二氧化錫氧化物薄膜的制備方法，其特征是，所述退火溫度為300～500℃。
4.如權(quán)利要求1所述的二氧化錫氧化物薄膜的制備方法，其特征是，遠(yuǎn)源等離子體濺射中，氧氣為反應(yīng)氣體，氧氣流速為1～10sccm。
5.如權(quán)利要求1所述的二氧化錫氧化物薄膜的制備方法，其特征是遠(yuǎn)源等離子體濺射中，氬氣為等離子體氣源，氬氣流速為50～100sccm。
6.如權(quán)利要求1所述的二氧化錫氧化物薄膜的制備方法，其特征是，遠(yuǎn)源等離子體濺射中，離子體發(fā)射源功率為300～500W。
7.如權(quán)利要求1所述的二氧化錫氧化物薄膜的制備方法，其特征是遠(yuǎn)源等離子體濺射中，靶材加速偏壓功率為50～100W。
8.一種權(quán)利要求1～7任一所述的制備方法獲得的二氧化錫氧化物薄膜在檢測(cè)氫氣中的應(yīng)用。
9.一種氫氣氣敏傳感器，其特征是，包括氣敏元件和固定架，氣敏元件安裝在固定架上，所述氣敏元件為權(quán)利要求1～7任一所述的制備方法獲得的二氧化錫氧化物薄膜。
10.一種氫氣的檢測(cè)方法，其特征是，將含有氫氣的待測(cè)氣體通過權(quán)利要求1～7任一所述的制備方法獲得的二氧化錫氧化物薄膜，檢測(cè)二氧化錫氧化物薄膜的電阻變化。
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