[發(fā)明專利]一種自潤滑難熔高熵合金薄膜及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110400712.2 | 申請日： | 2021-04-14 |
| 公開（公告）號： | CN113106408B | 公開（公告）日： | 2022-11-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 周青;羅大微;黃卓斌;劉世豪;陳自強;王海豐 | 申請（專利權(quán)）人： | 西北工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/18 |
| 代理公司： | 西安銘澤知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 徐云俠 |
| 地址： | 710072 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 潤滑 難熔高熵 合金 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種自潤滑難熔高熵合金薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：采用磁控濺射技術(shù)先在硅基體上鍍一層NbMoWTa層，再以所述NbMoWTa層作為生長模板，交替沉積Ag層與NbMoWTa層形成NbMoWTa/Ag納米多層膜，且最頂層為NbMoWTa層；
所述NbMoWTa層采用直流電源濺射，直流脈沖電源功率為100W，基片偏壓為-80V；所述Ag層采用射頻電源濺射，射頻電源功率為80W，基片偏壓為-80V；
所述NbMoWTa/Ag納米多層膜中NbMoWTa層與Ag層的單層厚度均為2.0nm；所述Ag層與所述NbMoWTa層的總層數(shù)為710-730層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自潤滑難熔高熵合金薄膜的制備方法，其特征在于，所述磁控濺射技術(shù)中沉積速率為NbMoWTa層0.120-0.125nm/s、Ag層0.310-0.315nm/s。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的自潤滑難熔高熵合金薄膜的制備方法，其特征在于，所述磁控濺射技術(shù)中沉積速率為NbMoWTa層0.123nm/s、Ag層0.312nm/s。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自潤滑難熔高熵合金薄膜的制備方法，其特征在于，所述硅基體采用清洗后的單面拋光單晶硅基片。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自潤滑難熔高熵合金薄膜的制備方法，其特征在于，所述磁控濺射技術(shù)是采用高純Ar作為離化氣體。
6.一種根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的方法制備得到的自潤滑難熔高熵合金薄膜。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
