[發(fā)明專(zhuān)利]預(yù)測(cè)性芯片維護(hù)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110400213.3
• 申請(qǐng)日: 2021-04-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113533931A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-10-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: I·埃舍爾-珀佩爾;T·邁爾;G·珀佩爾
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G01R31/28
• 分類(lèi)號(hào): G01R31/28
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 黃倩

1.一種設(shè)備，包括：

電路，被配置為執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)電路操作；以及

附加端子，包括電路測(cè)試元件，

其中所述電路測(cè)試元件位于所述電路與所述附加端子之間，以及

其中在所述附加端子處的所測(cè)量的電特性隨時(shí)間的變化指示所述電路的健康狀態(tài)SOH。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中在所述電路正在執(zhí)行所述一個(gè)或多個(gè)電路操作時(shí)所測(cè)量的電特性隨時(shí)間的變化指示所述電路的健康狀態(tài)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，

其中所述電路測(cè)試元件包括電阻器，以及

其中所測(cè)量的電特性是電壓。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，所述設(shè)備還包括供電端子，其中當(dāng)所述電路正在執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)電路操作時(shí)，所述附加端子與所述供電端子之間的電壓指示所述供電端子處的電流。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述電路測(cè)試元件包括二極管。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中所測(cè)量的電特性指示所述電路在所述附加端子處的溫度。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，

其中所述電特性是第一電特性，

其中所述電路的所述溫度提供對(duì)第二電特性的調(diào)整，以及

其中所述第二電特性還提供所述電路的所述健康狀態(tài)的指示。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，還包括一個(gè)或多個(gè)二極管，

其中所述一個(gè)或多個(gè)二極管被配置為：

為所述電路提供保護(hù)，使得所述電路避免遭受靜電放電ESD；

提供所述電路的溫度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述電路是集成電路IC。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中所述電路包括互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體CMOS電路。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，

其中所述設(shè)備包括IC封裝，以及

其中所述附加端子位于所述IC封裝上比所述IC封裝上的其他外部端子更容易受到連接損壞的位置處。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中所述附加端子位于所述IC封裝上的拐角位置處。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中所述附加端子由球柵陣列的拐角球、燒結(jié)層的拐角、拐角支柱或拐角凸塊組成。

14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中所述附加端子被電連接到所述IC封裝的重分布層RDL，并且所述電路測(cè)試元件包括所述RDL。

15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中所述附加端子與所述IC封裝的重分布層RDL電隔離。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，

其中所述IC封裝還包括密封劑，

其中所述電路測(cè)試元件包括所述密封劑，以及

其中所述附加端子被配置為檢測(cè)所述IC封裝的所述密封劑處的泄漏。

17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中所述附加端子經(jīng)受機(jī)械應(yīng)力或界面退化。