[發(fā)明專利]一種基于激光直寫鉬片制備碳化鉬納米微陣列的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110398615.4 | 申請(qǐng)日： | 2021-04-12 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN113136596B | 公開（公告）日： | 2022-07-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 周偉家;袁海鳳;趙莉莉;劉曉燕;董天嬌 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 濟(jì)南大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | C25B11/075 | 分類號(hào)： | C25B11/075;C25B1/04;B23K26/00;B23K26/36;B23K26/60;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 濟(jì)南譽(yù)豐專利代理事務(wù)所(普通合伙企業(yè)) 37240 | 代理人： | 薛鵬喜 |
| 地址： | 250022 山*** | 國(guó)省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 激光 直寫鉬片 制備 碳化 納米 陣列 方法 | ||
1.一種基于激光直寫鉬片制備的碳化鉬納米微陣列，其特征在于，所述碳化鉬納米微陣列為線陣列、孔陣列、圓陣列、柱陣列、多邊形陣列、圖案陣列或字符陣列中的一種或多種；碳化鉬的相為MoxC，x為實(shí)數(shù)且0＜x≤3；
所述碳化鉬納米微陣列的制備方法為：
以鉬片為基材，向基材上添加碳源，采用激光直寫對(duì)基材表面進(jìn)行加工得到碳化鉬納米微陣列；所述碳源選甲烷、二氰二胺、葡萄糖中的一種或多種；激光功率為0.1 ~1000W，激光重復(fù)頻率為20~2000 KHz，激光掃描速度為500~104 mm/s；激光器中心波長(zhǎng)為1064nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化鉬納米微陣列，其特征在于，所述鉬片為純度在90 %以上的工業(yè)純鉬。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化鉬納米微陣列，其特征在于，所述柱陣列的柱直徑為1 nm~ 1 cm，柱間距為1 nm ~ 10 cm，柱高度為1 nm ~ 500 μm。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化鉬納米微陣列，其特征在于，所述孔陣列的孔直徑為1nm ~ 1 cm，孔間距為1 nm ~ 10 cm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化鉬納米微陣列，其特征在于，所述線陣列的線寬為1 nm ~1 mm，線間距為1 nm ~ 10 cm。
6.權(quán)利要求1~5任一項(xiàng)所述的碳化鉬微陣列在電催化產(chǎn)氫中的應(yīng)用。
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