[發明專利]LDMOS器件和形成LDMOS器件的方法

有效

• 申請號: 202110397808.8
• 申請日: 2021-04-13
• 公開（公告）號: CN113257889B
• 公開（公告）日: 2022-10-21
• 發明（設計）人: 吉揚·永;連延杰;傅達平;邢進
• 申請（專利權）人: 成都芯源系統有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種LDMOS器件，包括：

襯底；

在襯底上形成的具有上表面的外延層；

在外延層中形成的體區，其中，體區具有第一側和第二側；

在外延層內形成的漏極漂移區，其中，漏極漂移區與體區的第一側相鄰；

在外延層上形成的柵極，其中，柵極覆蓋體區的一部分以及漏極漂移區的一部分；

在襯底內形成的且和外延層相接觸的掩埋層；

在外延層內且在體區的第二側旁形成的第一阱區，其中，第一阱區和體區隔離開來；

在掩埋層和第一阱區之間形成的且和掩埋層以及第一阱區相接觸的下沉區；以及

從外延層的上表面延伸且穿過第一阱區并進入下沉區的溝槽，其中，下沉區通過溝槽的側壁和底側進行離子注入形成。

2.根據權利要求1所述的LDMOS器件，其中，溝槽填充有非導電材料。

3.根據權利要求2所述的LDMOS器件，其中，非導電材料包括未摻雜的氧化物或未摻雜的多晶硅。

4.根據權利要求1所述的LDMOS器件，其中，溝槽從外延層的上表面延伸至由掩埋層的最上表面所定義的水平面。

5.根據權利要求1所述的LDMOS器件，其中，溝槽從外延層的上表面延伸至下沉區中并且延伸至由掩埋層的最上表面所定義的水平面的上方。

6.根據權利要求1所述的LDMOS器件，進一步包括在掩埋層和漏極漂移區之間形成的降低表面電場層。

7.根據權利要求1所述的LDMOS器件，還包括形成在體區和第一阱區之間的淺溝槽隔離結構。

8.一種形成LDMOS器件的方法，包括：

在襯底中形成掩埋層；

在襯底上形成外延層；

在外延層上依次形成墊氧化層、氮化層和光刻膠層；

用具有開口的掩模層刻蝕光刻膠層；

通過光刻膠層中被刻蝕掉的部分刻蝕氮化層、墊氧化層和外延層以形成溝槽；

通過溝槽的側壁和底側進行離子注入以形成下沉區；

用非導電材料填充溝槽；

在掩埋層上方形成漏極漂移區；

在溝槽的上部周圍形成第一阱區，其中下沉區形成于掩埋層和第一阱區之間，且下沉區和掩埋層以及第一阱區相接觸；

形成與漏極漂移區相鄰近且與第一阱區相隔離的體區；以及

在外延層上形成柵極。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，形成溝槽的步驟包括在掩埋層上方停止刻蝕外延層，或者在到達掩埋層時停止刻蝕。

10.根據權利要求8所述的方法，其中，進行離子注入以形成下沉區的步驟是利用光刻膠層進行的。

11.根據權利要求8所述的方法，還包括在進行離子注入以形成下沉區的步驟之后進行熱退火工藝。

12.根據權利要求8所述的方法，還包括在進行離子注入以形成下沉區的步驟之后，在溝槽的內表面形成犧牲氧化膜。

13.根據權利要求8所述的方法，還包括在進行離子注入以形成下沉區的步驟之后，去除光刻膠層和氮化層。

14.根據權利要求8所述的方法，其中，非導電材料包括未摻雜的氧化物或未摻雜的多晶硅。

15.根據權利要求8所述的方法，還包括去除外延層上方的非導電材料。

16.根據權利要求8所述的方法，其中，還包括在填充溝槽的步驟之后進行熱推進工藝。

17.根據權利要求8所述的方法，還包括在填充溝槽的步驟之后，在掩埋層上方形成降低表面電場層。

18.根據權利要求17所述的方法，還包括在形成第一阱區的步驟之前形成淺溝槽隔離結構。