[發(fā)明專利]LDMOS器件和形成LDMOS器件的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110397808.8
• 申請(qǐng)日: 2021-04-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113257889B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-10-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吉揚(yáng)·永;連延杰;傅達(dá)平;邢進(jìn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都芯源系統(tǒng)有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種LDMOS器件，包括：

襯底；

在襯底上形成的具有上表面的外延層；

在外延層中形成的體區(qū)，其中，體區(qū)具有第一側(cè)和第二側(cè)；

在外延層內(nèi)形成的漏極漂移區(qū)，其中，漏極漂移區(qū)與體區(qū)的第一側(cè)相鄰；

在外延層上形成的柵極，其中，柵極覆蓋體區(qū)的一部分以及漏極漂移區(qū)的一部分；

在襯底內(nèi)形成的且和外延層相接觸的掩埋層；

在外延層內(nèi)且在體區(qū)的第二側(cè)旁形成的第一阱區(qū)，其中，第一阱區(qū)和體區(qū)隔離開(kāi)來(lái)；

在掩埋層和第一阱區(qū)之間形成的且和掩埋層以及第一阱區(qū)相接觸的下沉區(qū)；以及

從外延層的上表面延伸且穿過(guò)第一阱區(qū)并進(jìn)入下沉區(qū)的溝槽，其中，下沉區(qū)通過(guò)溝槽的側(cè)壁和底側(cè)進(jìn)行離子注入形成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LDMOS器件，其中，溝槽填充有非導(dǎo)電材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LDMOS器件，其中，非導(dǎo)電材料包括未摻雜的氧化物或未摻雜的多晶硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LDMOS器件，其中，溝槽從外延層的上表面延伸至由掩埋層的最上表面所定義的水平面。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LDMOS器件，其中，溝槽從外延層的上表面延伸至下沉區(qū)中并且延伸至由掩埋層的最上表面所定義的水平面的上方。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LDMOS器件，進(jìn)一步包括在掩埋層和漏極漂移區(qū)之間形成的降低表面電場(chǎng)層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LDMOS器件，還包括形成在體區(qū)和第一阱區(qū)之間的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。

8.一種形成LDMOS器件的方法，包括：

在襯底中形成掩埋層；

在襯底上形成外延層；

在外延層上依次形成墊氧化層、氮化層和光刻膠層；

用具有開(kāi)口的掩模層刻蝕光刻膠層；

通過(guò)光刻膠層中被刻蝕掉的部分刻蝕氮化層、墊氧化層和外延層以形成溝槽；

通過(guò)溝槽的側(cè)壁和底側(cè)進(jìn)行離子注入以形成下沉區(qū)；

用非導(dǎo)電材料填充溝槽；

在掩埋層上方形成漏極漂移區(qū)；

在溝槽的上部周圍形成第一阱區(qū)，其中下沉區(qū)形成于掩埋層和第一阱區(qū)之間，且下沉區(qū)和掩埋層以及第一阱區(qū)相接觸；

形成與漏極漂移區(qū)相鄰近且與第一阱區(qū)相隔離的體區(qū)；以及

在外延層上形成柵極。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，形成溝槽的步驟包括在掩埋層上方停止刻蝕外延層，或者在到達(dá)掩埋層時(shí)停止刻蝕。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，進(jìn)行離子注入以形成下沉區(qū)的步驟是利用光刻膠層進(jìn)行的。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括在進(jìn)行離子注入以形成下沉區(qū)的步驟之后進(jìn)行熱退火工藝。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括在進(jìn)行離子注入以形成下沉區(qū)的步驟之后，在溝槽的內(nèi)表面形成犧牲氧化膜。

13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括在進(jìn)行離子注入以形成下沉區(qū)的步驟之后，去除光刻膠層和氮化層。

14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，非導(dǎo)電材料包括未摻雜的氧化物或未摻雜的多晶硅。

15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括去除外延層上方的非導(dǎo)電材料。

16.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，還包括在填充溝槽的步驟之后進(jìn)行熱推進(jìn)工藝。

17.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括在填充溝槽的步驟之后，在掩埋層上方形成降低表面電場(chǎng)層。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，還包括在形成第一阱區(qū)的步驟之前形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。