[發明專利]一種壓力傳感器芯片的制造工藝

有效

• 申請號: 202110397707.0
• 申請日: 2021-04-14
• 公開（公告）號: CN113074845B
• 公開（公告）日: 2023-10-03
• 發明（設計）人: 費友健;賈永平
• 申請（專利權）人: 江西新力傳感科技有限公司
• 主分類號: G01L1/18
• 分類號: G01L1/18
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 何世磊

1.一種壓力傳感器芯片的制造工藝，其特征在于，所述工藝包括：

提供一襯底和一第一支座；

通過離子注入摻雜工藝在所述襯底的上表面制作壓阻電路；

通過化學氣相沉積方法在所述壓阻電路上沉積一層第一絕緣介質層；

在所述第一支座的下表面刻蝕形成對應于真空腔的凹槽；

將所述第一支座的下表面與所述襯底的上表面進行對準鍵合；

其中，所述工藝還包括：

在所述第一支座、所述襯底和/或所述第一絕緣介質層上制作調制電路，并使所述調制電路連接所述壓阻電路；

制作輸出電極，使所述輸出電極一端連接所述調制電路、另一端設于所述壓力傳感器芯片的外部。

2.根據權利要求1所述的壓力傳感器芯片的制造工藝，其特征在于，在所述襯底上制作調制電路，并使所述調制電路連接所述壓阻電路的步驟包括：

在摻雜制作所述壓阻電路的同時，在所述襯底的上表面制作與所述離子注入摻雜工藝兼容的所述調制電路，并使所述調制電路與所述壓阻電路連接。

3.根據權利要求1所述的壓力傳感器芯片的制造工藝，其特征在于，在所述第一絕緣介質層上制作調制電路，并使所述調制電路連接所述壓阻電路的步驟包括：

在制備完所述第一絕緣介質層之后，在所述第一絕緣介質層內制備第一導電墊；

在所述第一絕緣介質層的上表面制作與所述第一絕緣介質層兼容的所述調制電路，并使所述調制電路通過所述第一導電墊連接所述壓阻電路。

4.根據權利要求3所述的壓力傳感器芯片的制造工藝，其特征在于，在所述第一絕緣介質層的上表面制作與所述第一絕緣介質層兼容的所述調制電路，并使所述調制電路通過所述第一導電墊連接所述壓阻電路的步驟之后，還包括：

通過化學氣相沉積方法在所述調制電路上沉積一層第二絕緣介質層。

5.根據權利要求1所述的壓力傳感器芯片的制造工藝，其特征在于，在所述第一支座上制作調制電路，并使所述調制電路連接所述壓阻電路的步驟包括：

在將所述第一支座和所述襯底鍵合之前，在所述第一絕緣介質層內制作第一導電墊；

在將所述第一支座和所述襯底鍵合之后，在所述第一支座的上表面制作調制電路；

在所述第一支座內制作第一導電柱，并在所述第一支座的上表面制作第三導電墊，所述第一導電柱貫穿所述第一支座，且所述第一導電柱的一端通過所述第三導電墊連接所述調制電路、另一端通過所述第一導電墊連接所述壓阻電路。

6.根據權利要求3或5所述的壓力傳感器芯片的制造工藝，其特征在于，在所述第一絕緣介質層上制備第一導電墊的步驟包括：

在所述第一絕緣介質層上刻蝕出通孔；

在所述通孔中沉積金屬層，形成所述第一導電墊。

7.根據權利要求2-5任一項所述的壓力傳感器芯片的制造工藝，其特征在于，所述輸出電極制作在所述第一支座上。

8.根據權利要求5所述的壓力傳感器芯片的制造工藝，其特征在于，在所述第一支座的上表面制作調制電路的步驟之后，還包括：

通過化學氣相沉積方法在所述調制電路上沉積一層第三絕緣介質層。

9.根據權利要求8所述的壓力傳感器芯片的制造工藝，其特征在于，在所述第一支座內制作第一導電柱，并在所述第一支座的上表面制作第三導電墊的步驟包括：

對所述第三絕緣介質層進行濕法刻蝕，形成用于硅深刻蝕的的第一窗口，所述第一窗口正對所述第一導電墊；

以所述第三絕緣介質層作為硅深刻蝕的掩膜、以透過所述第一窗口在所述第一支座內刻蝕出通孔，所述通孔貫穿所述第一支座，去除所述第三絕緣介質層；

在所述通孔內沉積金屬層，形成所述第一導電柱；

通過化學氣相沉積方法再在調制電路上沉積一層第三絕緣介質層，對第三絕緣介質層進行表面拋光和濕法刻蝕，形成用于形成導電墊的第二窗口，在所述第二窗口內沉積金屬層形成所述第三導電墊。

10.根據權利要求8或9所述的壓力傳感器芯片的制造工藝，其特征在于，在所述第一支座內制作第一導電柱，并在所述第一支座的上表面制作第三導電墊的步驟之后，還包括：

提供一第二支座；

將所述第二支座的下表面與所述第一支座的上表面進行對準鍵合；

在所述第二支座上制作所述輸出電極。