[發(fā)明專利]一種電子元件的消泡型封裝工藝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110396780.6
• 申請(qǐng)日: 2021-04-14
• 公開（公告）號(hào): CN113270330B
• 公開（公告）日: 2023-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 湯雪蜂
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市智楠科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/56
• 分類號(hào): H01L21/56;H01L21/67
• 代理公司: 深圳市洪荒之力專利代理有限公司 44541
• 代理人: 李青

1.一種電子元件的消泡型封裝工藝，其特征在于：包括以下步驟：

S1、首先將芯片安裝在基板上，然后在芯片上方鋪上一層內(nèi)呼吸動(dòng)球；

S2、對(duì)內(nèi)呼吸動(dòng)球進(jìn)行位置的預(yù)處理，然后進(jìn)行分層澆注環(huán)氧樹脂；

S3、進(jìn)行第一層的環(huán)氧樹脂的澆注，澆筑后對(duì)基板的下方進(jìn)行加熱處理，使內(nèi)呼吸動(dòng)球膨脹，再進(jìn)行急降溫處理，使內(nèi)呼吸動(dòng)球恢復(fù)原狀；依次多次重復(fù)加熱和急降溫的處理，使內(nèi)呼吸動(dòng)球不斷重復(fù)膨脹-復(fù)原的過程，呈現(xiàn)“呼吸”態(tài)，從內(nèi)部對(duì)環(huán)氧樹脂起到震動(dòng)的作用，消除環(huán)氧樹脂內(nèi)部的空隙；

S4、第一層環(huán)氧樹脂冷卻定型后，進(jìn)行第二層的環(huán)氧樹脂的澆注，澆注后自然冷卻，完成電子元件的封裝。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子元件的消泡型封裝工藝，其特征在于：所述步驟S3中加熱和急降溫處理的重復(fù)次數(shù)不少于5次。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種電子元件的消泡型封裝工藝，其特征在于：所述加熱和急降溫處理每次重復(fù)的間隔不低于10秒。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種電子元件的消泡型封裝工藝，其特征在于：所述加熱的溫度為90-110℃，急降溫處理的降溫速度為5-8℃/s，且急降溫處理后的最終溫度為20-25℃。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子元件的消泡型封裝工藝，其特征在于：所述步驟S2中內(nèi)呼吸動(dòng)球位置的預(yù)處理操作包括以下步驟：

S21、在內(nèi)呼吸動(dòng)球鋪好后，使用磁板在基板下方來回移動(dòng)，然后將磁板臨時(shí)固定下基板下；

S22、然后通過絕緣瓷桿撥動(dòng)內(nèi)呼吸動(dòng)球，引導(dǎo)內(nèi)呼吸動(dòng)球的光滑端與芯片接觸，非光滑端向上排列，直至內(nèi)呼吸動(dòng)球鋪勻。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種電子元件的消泡型封裝工藝，其特征在于：所述鋪勻的標(biāo)準(zhǔn)為：芯片表面沒有明顯的空隙以及沒有多個(gè)內(nèi)呼吸動(dòng)球疊在一起。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子元件的消泡型封裝工藝，其特征在于：所述內(nèi)呼吸動(dòng)球包括外球殼（1）以及固定連接在外球殼（1）內(nèi)底端的內(nèi)呼吸球芯（2），所述內(nèi)呼吸球芯（2）內(nèi)部填充有鐵粉與高導(dǎo)熱氣體的混合物，所述外球殼（1）和內(nèi)呼吸球芯（2）之間的空隙內(nèi)飽和填充有絕緣油。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種電子元件的消泡型封裝工藝，其特征在于：所述高導(dǎo)熱氣體飽和填充，所述鐵粉的體積為內(nèi)呼吸球芯（2）內(nèi)容積的1/3-1/2。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種電子元件的消泡型封裝工藝，其特征在于：所述外球殼（1）外端固定連接有多個(gè)均勻分布的外擠壓球（4），所述外擠壓球（4）內(nèi)飽和填充有惰性氣體，所述外擠壓球（4）與內(nèi)呼吸球芯（2）之間固定連接有拉繩（3）。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種電子元件的消泡型封裝工藝，其特征在于：所述內(nèi)呼吸球芯（2）、拉繩（3）和外擠壓球（4）均為彈性材料制成，所述外球殼（1）為硬質(zhì)密封材料制成，且拉繩（3）處于繃直狀態(tài)。