[發明專利]一種TFT基板、顯示裝置及TFT基板的制備方法

有效

• 申請號: 202110396587.2
• 申請日: 2018-03-21
• 公開（公告）號: CN113192981B
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發明（設計）人: 曹尚操
• 申請（專利權）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H10K59/12
• 代理公司: 福州市博深專利事務所(普通合伙) 35214
• 代理人: 張明

1.一種TFT基板，其特征在于，包括第一金屬層、有源層、第三金屬層和輔助金屬層；所述第一金屬層形成柵極，所述第三金屬層形成源極和漏極，所述源極和漏極之間的有源層為溝道區域；所述第三金屬層位于所述第一金屬層的上方，所述輔助金屬層位于所述第一金屬層和第三金屬層之間，所述第一金屬層、第三金屬層和輔助金屬層之間通過絕緣層隔開；所述第一金屬層、輔助金屬層與夾在所述第一金屬層和輔助金屬層之間的絕緣層構成第一存儲電容；所述第三金屬層、輔助金屬層與夾在所述第三金屬層和輔助金屬層之間的絕緣層構成第二存儲電容；

還包括基板、設于所述基板上的由第一金屬層形成的柵極、設于所述基板和柵極上的柵極絕緣層、設于所述柵極絕緣層上的有源層、設于所述有源層和柵極絕緣層上的刻蝕阻擋層、設于所述刻蝕阻擋層上的輔助金屬層、設于所述刻蝕阻擋層和輔助金屬層上的鈍化層、穿過所述鈍化層和刻蝕阻擋層且分別對應于所述有源層的兩側上方的第一過孔和第二過孔、設于所述鈍化層上的第三金屬層，所述第三金屬層分別通過所述第一過孔和第二過孔與所述有源層連接；所述第三金屬層在所述第一過孔和第二過孔處分別形成源極和漏極；

所述柵極絕緣層的材料為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁中的一種或兩種。

2.根據權利要求1所述的TFT基板，其特征在于，還包括設于所述源極、漏極和鈍化層上的平坦化層、穿過所述平坦化層且對應于所述漏極上方的第三過孔、設于所述平坦化層上且通過所述第三過孔與所述漏極連接的陽極以及設于所述平坦化層和陽極上的第四絕緣層，所述第四絕緣層的對應于所述陽極上方的位置設有第四過孔。

3.根據權利要求2所述的TFT基板，其特征在于，所述陽極為ITO/Ag/ITO夾心層結構。

4.根據權利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述有源層由IGZO薄膜材料形成。

5.根據權利要求1~4任意一項所述的TFT基板，其特征在于，所述第一金屬層、輔助金屬層和第三金屬層均為Mo/Al/Mo夾心層結構。

6.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1~5任意一項所述的TFT基板。

7.一種TFT基板的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1：在基板上依次形成柵極、柵極絕緣層、有源層和刻蝕阻擋層，所述柵極由第一金屬層形成；

步驟2：在所述刻蝕阻擋層上采用物理氣相沉積法形成輔助金屬層；

步驟3：在所述刻蝕阻擋層和輔助金屬層上形成鈍化層；

步驟4：通過一次構圖工藝同時對鈍化層和刻蝕阻擋層圖案化，形成均與有源層連接的第一過孔和第二過孔；

步驟5：在所述鈍化層上形成第三金屬層，所述第三金屬層通過所述第一過孔和第二過孔與所述有源層連接；所述第三金屬層在所述第一過孔和第二過孔處分別形成源極和漏極。

8.根據權利要求7所述的TFT基板的制備方法，其特征在于，在所述步驟5之后還包括在如下步驟：

在所述鈍化層、源極和漏極上形成平坦化層；

對所述平坦化層進行圖案化處理，形成第三過孔；所述第三過孔穿過所述平坦化層與所述漏極連接；

在所述平坦化層上形成陽極，所述陽極通過所述第三過孔與所述漏極連接；

以及在所述平坦化層和陽極上沉積第四絕緣層，對所述第四絕緣層進行圖案化處理，在第四絕緣層的對應于所述陽極上方的位置形成第四過孔。

9.根據權利要求7或8所述的TFT基板的制備方法，其特征在于，形成有源層的步驟為：在柵極絕緣層上通過物理氣相沉積法沉積IGZO薄膜，然后經過曝光、刻蝕和剝離工藝形成所需的有源層圖案。