[發明專利]自驅動紫外光電探測器及制備方法

有效

• 申請號: 202110395978.2
• 申請日: 2021-04-13
• 公開（公告）號: CN113091899B
• 公開（公告）日: 2022-12-02
• 發明（設計）人: 孫旭輝;文震;劉賽男
• 申請（專利權）人: 蘇州大學
• 主分類號: G01J1/42
• 分類號: G01J1/42
• 代理公司: 北京智匯東方知識產權代理事務所(普通合伙) 11391
• 代理人: 王雪梅

1.一種自驅動紫外光電探測器，其特征在于，用于探測紫外光，且能夠探測出所述紫外光的最低檢測限為UV_min，所述自驅動紫外光電探測器包括：

絕緣基底；

電極層，形成在所述絕緣基底上，且所述電極層的材料選擇為光敏電阻材料，所述光敏電阻材料基于光致阻變效應從而在紫外光照射下引起阻值變化；

摩擦層，形成在所述電極層上，所述摩擦層用于與外部基材摩擦起電，從而在所述摩擦層表面帶電；

所述電極層基于靜電感應效應感應出與所述摩擦層表面相反的電荷，且基于所述光致阻變效應引起的阻值變化，從而引起所述自驅動紫外光電探測器的輸出變化，進而檢測出最低檢測限為UV_min的所述紫外光；

所述光敏電阻材料選擇為在紫外光照射下的阻值在M～N范圍內變化，且0.01GΩ≤M≤1GΩ，其中，N的取值與所述最低檢測限UV_min的值成反方向變化，且0.01GΩ＜N≤150GΩ；

所述最低檢測限UV_min為0～0.61mW/cm²時，則N的取值范圍為1GΩ≤N≤150GΩ。

2.根據權利要求1所述的自驅動紫外光電探測器，其特征在于，

最低檢測限UV_min為大于0.61mW/cm²時，則N的取值范圍為0.01GΩ＜N≤1GΩ。

3.根據權利要求1所述的自驅動紫外光電探測器，其特征在于，

所述絕緣基底具有第一預設透光率，所述第一預設透光率選擇為范圍在50％～100％中任一值；

所述摩擦層具有第二預設透光率，所述第二預設透光率選擇為范圍在50％～100％中任一值。

4.根據權利要求3所述的自驅動紫外光電探測器，其特征在于，

所述第一預設透光率和所述第二預設透光率均為100％。

5.根據權利要求1所述的自驅動紫外光電探測器，其特征在于，

所述絕緣基底為柔性基底。

6.根據權利要求1所述的自驅動紫外光電探測器，其特征在于，所述絕緣基底選自聚酯、聚酰亞胺或聚乙烯醇中的一種。

7.根據權利要求1所述的自驅動紫外光電探測器，其特征在于，

所述摩擦層選自硅膠、聚二甲基硅氧烷或聚四氟乙烯中的一種。

8.根據權利要求1所述的自驅動紫外光電探測器，其特征在于，

所述摩擦層完全包裹所述電極層。

9.一種自驅動紫外光電探測器的制備方法，其特征在于，所述自驅動紫外光電探測器用于探測紫外光，且能夠探測出所述紫外光的最低檢測限為UV_min，所述制備方法包括：

提供一絕緣基底；

在所述絕緣基底上制備電極層，其中，所述電極層的材料選擇為光敏電阻材料，所述光敏電阻材料基于光致阻變效應從而在紫外光照射下引起阻值變化；

在所述電極層上制備摩擦層，其中，所述摩擦層用于與外部基材摩擦起電，從而在所述摩擦層表面帶電；

所述電極層基于靜電感應效應感應出與所述摩擦層表面相反的電荷，且基于所述光致阻變效應引起的阻值變化，從而引起所述自驅動紫外光電探測器的輸出變化，進而檢測出最低檢測限為UV_min的所述紫外光；

所述光敏電阻材料選擇為在紫外光照射下的阻值在M～N范圍內變化，0.01GΩ≤M≤1GΩ；

其中，N的取值與所述最低檢測限UV_min的值成反方向變化，且0.01GΩ＜N≤150GΩ；

所述最低檢測限UV_min為0～0.61mW/cm²時，則N的取值范圍為1GΩ≤N≤150GΩ。