[發明專利]Ti3

有效

• 申請號: 202110395318.4
• 申請日: 2021-04-13
• 公開（公告）號: CN113115581B
• 公開（公告）日: 2022-12-02
• 發明（設計）人: 范冰冰;張銳;張啟鵬;陳勇強;趙彪;邵剛;李明亮;宋博;王海龍;盧紅霞;許紅亮;劉永良;劉奇;潘亞蕊
• 申請（專利權）人: 鄭州大學
• 主分類號: H05K9/00
• 分類號: H05K9/00;H01Q17/00
• 代理公司: 鄭州睿信知識產權代理有限公司 41119
• 代理人: 李寧

本發明涉及一種Ti₃C₂T_x復合材料及其制備方法，屬于電磁屏蔽材料制備技術領域。本發明的Ti₃C₂T_x復合材料的制備方法，包括以下步驟：在聚合物微球上包覆Ti₃C₂T_x單層納米片層，然后進行碳化處理，即得。本發明的Ti₃C₂T_x復合材料的制備方法通過使用聚合物微球作為模板包覆Ti₃C₂T_x單層納米片，碳化處理后獲得，在保留了Ti₃C₂T_x材料高導電性的同時，由于聚合物微球模板熱裂解使Ti₃C₂T_x單層納米片層產生孔洞，進而使得制得材料具有多孔結構，材料密度更小，同時增強材料對電磁波的多次反射損耗，電磁波吸收屏蔽性能更好。

技術領域

本發明涉及一種Ti₃C₂T_x復合材料及其制備方法，屬于電磁屏蔽材料制備技術領域。

背景技術

二維層狀MXenes(Ti₃C₂T_x)是利用HF酸將Ti₃AlC₂中的Al原子層抽出來獲得新穎的二維層狀結構，Ti₃C₂T_x具有輕質、高比表面積(2630m²/g)和高導電性(電導率可達4665S/cm^-1)，這種新穎的結構有利于電磁波在層間的多次反射與散射，同時Ti₃C₂T_x表面還帶有大量官能團與本征缺陷，可以增加偶極子極化，從而使Ti₃C₂T_x成為一種優異的新型電磁吸收材料，受到廣泛的關注。在2016年，Yuchang Qing等人研究發現：在吸波厚度為1.4mm下，Ti₃C₂T_x納米片有效吸波頻段為12.4-18GHz，其回波損耗最小值為-11dB(參考文獻[1]:QingY,Zhou W,Luo F,et al.Titanium carbide(MXene)nanosheets as promising microwaveabsorbers[J].Ceramics International,2016,42(14):16412-16416.).該Ti₃C₂T_x納米片作為電磁屏蔽材料時難以較好地滿足商業應用的需求，對電磁波的吸收屏蔽性能仍有待提高。

發明內容

本發明的目的是提供一種Ti₃C₂T_x復合材料的制備方法，制得的Ti₃C₂T_x復合材料具有良好的電磁波吸收屏蔽性能。

本發明還提供了一種采用上述的制備方法制得的Ti₃C₂T_x復合材料。

為了實現以上目的，本發明的Ti₃C₂T_x復合材料所采用的技術方案是：

一種Ti₃C₂T_x復合材料的制備方法，包括以下步驟：在聚合物微球上包覆Ti₃C₂T_x單層納米片層，然后進行碳化處理，即得。