[發明專利]一種基于鋁摻雜氧化鈮的選通器件及其制備方法

有效

• 申請號: 202110395190.1
• 申請日: 2021-04-13
• 公開（公告）號: CN113130744B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 馬國坤;桃李;萬厚釗;段金霞;饒毅恒;董文靜;劉能帆;陳傲;王浩
• 申請（專利權）人: 湖北大學
• 主分類號: H10N70/20
• 分類號: H10N70/20;H10B63/00
• 代理公司: 北京金智普華知識產權代理有限公司 11401
• 代理人: 張文俊

1.一種基于鋁摻雜氧化鈮的選通器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供底電極；

在所述底電極表面制備轉變層；

在所述轉變層遠離所述底電極一側的表面制備頂電極；

其中，所述轉變層的材料為鋁摻雜氧化鈮薄膜，所述轉變層中鋁摻雜的摩爾百分比為1.03％；

所述轉變層的制備方法具體為：以氧化鈮、氧化鋁為靶材，利用磁控濺射法共沉積制備得到轉變層，其中，氧化鈮靶材的濺射功率為n，50W＜n≤75W，氧化鋁靶材的濺射功率為5～30W，濺射時間為10～120min。

2.如權利要求1所述的基于鋁摻雜氧化鈮的選通器件的制備方法，其特征在于，所述底電極的材料為Pd、Ti、Pt、W或TiN中的一種；所述頂電極的材料為Pt、Ti、Pd，W中的一種。

3.如權利要求1所述的基于鋁摻雜氧化鈮的選通器件的制備方法，其特征在于，所述轉變層的厚度為10～250nm，所述頂電極的厚度為30～150nm。

4.如權利要求2所述的基于鋁摻雜氧化鈮的選通器件的制備方法，其特征在于，所述頂電極的材料為Pt，所述頂電極的制備方法為：以Pt為靶材，利用磁控濺射法在所述轉變層表面沉積得到Pt即得頂電極。

5.如權利要求4所述的基于鋁摻雜氧化鈮的選通器件的制備方法，其特征在于，磁控濺射時控制磁控濺射設備的真空室壓力為2×10^-1～6×10^-1Pa、溫度為290～330K、濺射功率為20～70W、濺射時間為20～100min。