[發明專利]一種避免邊緣出現雜散信號的背照式CCD結構有效

申請號：	202110394941.8	申請日：	2021-04-13
公開（公告）號：	CN113113441B	公開（公告）日：	2023-06-30
發明（設計）人：	汪朝敏;周建勇;韓恒利;王廷棟;江海波;何達;陳順昌;尹俊;王小東;劉昌林	申請（專利權）人：	中國電子科技集團公司第四十四研究所
主分類號：	H01L27/148	分類號：	H01L27/148
代理公司：	重慶輝騰律師事務所 50215	代理人：	盧勝斌
地址：	400060 ***	國省代碼：	重慶;50
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種避免邊緣出現信號背照式 ccd 結構
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【權利要求書】：

1.一種避免邊緣出現雜散信號的背照式CCD結構，該結構包括光敏區、存儲區以及水平CCD，光敏區與存儲區連接，水平CCD與存儲區連接，形成背照式CCD結構；其特征在于，背照式CCD結構從下到上依包括：芯片襯底、背面介質層以及背面金屬層；所述背面介質層上設置有接觸孔；背面金屬層上設置有與背面介質層接觸孔相對應的金屬柱；金屬層上的金屬柱通過背面介質層的接觸孔與芯片襯底接觸，實現電學連通。

2.根據權利要求1所述的一種避免邊緣出現雜散信號的背照式CCD結構，其特征在于，背面介質層上至少設置有1個接觸孔。

3.根據權利要求1所述的一種避免邊緣出現雜散信號的背照式CCD結構，其特征在于，所述芯片襯底為減薄的硅襯底；通過對硅襯底進行減薄處理，增加CCD的量子效率。

4.根據權利要求3所述的一種避免邊緣出現雜散信號的背照式CCD結構，其特征在于，芯片襯底的厚度為15μm。

5.根據權利要求1所述的一種避免邊緣出現雜散信號的背照式CCD結構，其特征在于，所述背面介質層為氮化硅或二氧化硅。

6.根據權利要求1所述的一種避免邊緣出現雜散信號的背照式CCD結構，其特征在于，背面金屬層為金屬材料，所述金屬材料為鋁。

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