[發明專利]一種α-Si3 在審
| 申請號： | 202110394664.0 | 申請日： | 2021-04-13 |
| 公開（公告）號： | CN113120908A | 公開（公告）日： | 2021-07-16 |
| 發明（設計）人： | 鄭岐;吳東洋;段守龍;秦鵬;王延哲 | 申請（專利權）人： | 中民馳遠實業有限公司 |
| 主分類號： | C01B32/956 | 分類號： | C01B32/956;C01B21/068;H05B6/64;C04B35/626 |
| 代理公司： | 北京聲華知識產權代理事務所(普通合伙) 11661 | 代理人： | 張軍 |
| 地址： | 115103 遼*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 si base sub | ||
1.一種α-Si3N4/SiC耐火材料復合粉體制備方法，其特征在于，采用多晶硅切割廢料為原料，采用微波感應加熱合成α-Si3N4/SiC復合粉體，制備步驟如下：
1)混勻與干燥，將所述多晶硅切割廢料與氯化銨置于混勻機中，添加足量的水充分混勻成漿料，混勻后將所述漿料在干燥設備中烘干，制得多晶硅切割廢料與氯化銨混合粉體；其中，
所述氯化銨的加入量以重量百分比計為所述混合粉體總重量的20～60％，所述水的加入量與所述混合粉體的比例按照液體體積與固體質量比為5：1～7：1。
2)微波燒結，將所述混合粉體置于密閉微波感應加熱設備中，通入高純度氮氣，進行微波感應加熱高溫燒結；所述混合粉體在高溫燒結后進行保溫和冷卻，得到α-Si3N4/SiC復合粉體；其中，
所述高純度氮氣在微波感應加熱前5min通入，在微波感應加熱結束后持續通入5min后關閉。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述多晶硅切割廢料與氯化銨混勻成漿料的時間為8～12小時；所述漿料的烘干溫度為90～120℃，烘干時間12～24小時。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述微波感應加熱的功率為1000～3000W，所述混合粉體的高溫燒結溫度為1200～1400℃，燒結保溫時間為10～40分鐘。
4.根據權利要求1或3所述的制備方法，其特征在于，所述高純度氮氣的純度為≥99.99％。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述氯化銨的加入量以重量百分比計為所述混合粉體總重量的20～40％。
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