[發明專利]處理放射性廢水的表面氧化的二硫化錫納米片包裹碲納米線的制備方法有效
| 申請號: | 202110394062.5 | 申請日: | 2021-04-13 |
| 公開(公告)號: | CN113101950B | 公開(公告)日: | 2021-11-26 |
| 發明(設計)人: | 何嶸;雷佳;竹文坤;江新穎;劉歡歡;溫逢春;樂昊飏 | 申請(專利權)人: | 西南科技大學 |
| 主分類號: | B01J27/057 | 分類號: | B01J27/057;B01J35/02;G21F9/04 |
| 代理公司: | 北京遠大卓悅知識產權代理有限公司 11369 | 代理人: | 張忠慶 |
| 地址: | 621010 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 放射性 廢水 表面 氧化 硫化 納米 包裹 制備 方法 | ||
1.一種處理放射性廢水的表面氧化的二硫化錫納米片包裹碲納米線的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟一、在攪拌下將TeO2緩慢添加到N2H4?H2O中,攪拌直到TeO2完全溶解,然后將十二烷基硫酸鈉溶液滴入,再攪拌0.5~1.5h,然后以7000~9000rpm的速度離心8~15min;將離心后的產物分散于蒸餾水中,得到Te納米線溶液;
步驟二、將十二烷基苯磺酸鈉、SnCl4?5H2O和L-半胱氨酸加入乙二醇和蒸餾水的混合溶劑中,攪拌5~15min,然后加入Te納米線溶液,攪拌15~25min,得到反應液;將反應液移入聚四氟乙烯高壓反應釜中,150~170℃加熱8~12 h,待反應體系冷卻至室溫,離心收集沉淀,用蒸餾水和無水乙醇洗滌5~8次,并在真空烘箱中55~65℃干燥8~12h,得到表面氧化的二硫化錫納米片包裹碲納米線。
2.如權利要求1所述的處理放射性廢水的表面氧化的二硫化錫納米片包裹碲納米線的制備方法,其特征在于,所述步驟一中,TeO2與N2H4?H2O的質量體積比為1g:400~450mL;所述十二烷基硫酸鈉溶液的濃度為8~12mmol/L;所述TeO2與十二烷基硫酸鈉溶液的質量體積比為1g:3500~4000mL。
3.如權利要求1所述的處理放射性廢水的表面氧化的二硫化錫納米片包裹碲納米線的制備方法,其特征在于,所述步驟二中,十二烷基苯磺酸鈉、SnCl4?5H2O和L-半胱氨酸的質量比為2~3:1:2.4~3;所述乙二醇和蒸餾水的體積比為1:1;所述SnCl4?5H2O與乙二醇和蒸餾水的混合溶劑的質量體積比為1g:300~350mL;所述SnCl4?5H2O與Te納米線溶液的質量體積比為1g:100~120mL。
4.如權利要求1所述的處理放射性廢水的表面氧化的二硫化錫納米片包裹碲納米線的制備方法,其特征在于,所述步驟二中,將反應液轉移到高壓反應釜中之前,使用Nd:YAG脈沖激光器對反應液進行紫外脈沖激光輻照。
5.如權利要求4所述的處理放射性廢水的表面氧化的二硫化錫納米片包裹碲納米線的制備方法,其特征在于,所述紫外脈沖激光輻照的時間為5~10min;所述紫外脈沖激光輻照的波長為355nm,脈沖寬度為15~25ns,脈沖頻率為20~35Hz;單脈沖能量為60~135mJ。
6.如權利要求1所述的處理放射性廢水的表面氧化的二硫化錫納米片包裹碲納米線的制備方法,其特征在于,所述步驟二中,將離心收集的沉淀直接放入超臨界裝置中,在溫度為360~370℃,壓強為10~18MPa的超臨界丙酮-水體系中浸泡5~10min;所述的超臨界丙酮-水體系中丙酮與水的體積比為2:1。
7.一種如權利要求1~6任一項所述的制備方法得到的表面氧化的二硫化錫納米片包裹碲納米線在處理放射性廢水中的應用,其特征在于,取表面氧化的二硫化錫納米片包裹碲納米線加入含鈾放射性廢水中,在黑暗條件下,攪拌含鈾放射性廢水60min,然后在氙燈模擬太陽光條件下,進行光催化反應,實現含鈾放射性廢水中六價鈾的光催化還原。
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