[發明專利]一種抗輻射加固柵介質的EMCCD結構有效

申請號：	202110394057.4	申請日：	2021-04-13
公開（公告）號：	CN113113440B	公開（公告）日：	2023-03-28
發明（設計）人：	汪朝敏;周建勇;韓恒利;王廷棟;江海波;何達;陳順昌;尹俊;王小東;劉昌林	申請（專利權）人：	中國電子科技集團公司第四十四研究所
主分類號：	H01L27/148	分類號：	H01L27/148
代理公司：	重慶輝騰律師事務所 50215	代理人：	盧勝斌
地址：	400060 ***	國省代碼：	重慶;50
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種輻射加固介質 emccd 結構
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【權利要求書】：

1.一種抗輻射加固柵介質的EMCCD結構，該結構包括：光敏區、存儲區、水平區、電子倍增寄存器以及讀出放大器；所述光敏區與存儲區相連，所述存儲區與水平區相連，所述水平區和電子倍增寄存器連接，所述電子倍增寄存器與讀出放大器連接；其特征在于，光敏區的結構包括硅襯底、柵介質二氧化硅層、柵介質氮化硅層以及多晶硅層；存儲區和電子倍增寄存器的介質層的結構與光敏區的結構相同；電子倍增寄存器的柵介質二氧化硅層比所述光敏區的柵介質二氧化硅層厚，其中電子倍增寄存器的柵介質二氧化硅層厚度是所述光敏區的柵介質二氧化硅層厚度的1.5～150倍；電子倍增寄存器的柵介質二氧化硅層比所述存儲區的柵介質二氧化硅層厚，其中電子倍增寄存器的柵介質二氧化硅層厚度是所述存儲區的柵介質二氧化硅層厚度的1.5～150倍。

2.根據權利要求1所述的一種抗輻射加固柵介質的EMCCD結構，其特征在于，光敏區柵介質二氧化硅層厚度為5nm～60nm，存儲區的柵介質二氧化硅層厚度與敏區柵介質二氧化硅層厚度相同。

3.根據權利要求1所述的一種抗輻射加固柵介質的EMCCD結構，其特征在于，電子倍增寄存器的柵介質二氧化硅層厚度為30nm～9000nm。

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