[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110393607.0 | 申請(qǐng)日: | 2021-04-13 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113161275B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-12-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馮琳 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 上海廣川科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/677 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/677 |
| 代理公司: | 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 陶金龍;吳世華 |
| 地址: | 200444 上海市*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置,包括腔體和控制裝置,所述腔體具有相對(duì)設(shè)置的腔頂部和腔底部,所述控制裝置連接機(jī)械手,控制所述機(jī)械手沿傳送路徑自所述腔頂部與所述腔底部之間傳送晶圓,其特征在于,
所述腔頂部設(shè)有腔頂凹槽,所述腔頂凹槽具有若干頂通孔,所述腔頂凹槽自所述腔頂部的外表面垂直延伸至所述腔頂部?jī)?nèi),所述頂通孔自所述腔頂凹槽的底部貫穿所述腔頂部;
所述腔底部設(shè)有對(duì)應(yīng)所述腔頂凹槽的腔底凹槽,所述腔底凹槽具有若干對(duì)應(yīng)所述頂通孔的底通孔,所述腔底凹槽自所述腔底部的外表面垂直延伸至所述腔底部?jī)?nèi),所述底通孔自所述腔底凹槽的底部貫穿所述腔底部;
所述頂通孔內(nèi)設(shè)有頂傳感件,所述頂傳感件具有可拆卸連接的頂傳感部和頂傳感連接部,所述頂傳感連接部可拆卸連接所述腔頂凹槽;所述底通孔內(nèi)設(shè)有底傳感件,所述底傳感件具有可拆卸連接的底傳感部和底傳感連接部,所述底傳感連接部可拆卸連接所述腔底凹槽;所述頂傳感部和所述底傳感部沿所述傳送路徑相對(duì)設(shè)置,且分別面向所述晶圓的正面和底面并連接所述控制裝置。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,所述頂通孔和所述底通孔的數(shù)量分別均為2個(gè),所述頂傳感部包括分設(shè)于所述頂通孔內(nèi)的第一頂傳感端和第二頂傳感端,所述底傳感部包括分設(shè)于底通孔內(nèi)的第一底傳感端和第二底傳感端,所述第一底傳感端對(duì)應(yīng)所述第一頂傳感端,所述第二底傳感端對(duì)應(yīng)所述第二頂傳感端。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,所述第一頂傳感端與所述第一底傳感端之間具有第一連線(xiàn),所述第二頂傳感端與所述第二底傳感端之間具有第二連線(xiàn);所述機(jī)械手傳送所述晶圓,所述晶圓垂直穿過(guò)所述第一連線(xiàn)和所述第二連線(xiàn)。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,所述第一連線(xiàn)和所述第二連線(xiàn)分別位于所述晶圓的圓心的兩側(cè)。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,所述第一頂傳感端和所述第二頂傳感端之間的第三連線(xiàn)垂直于所述傳送路徑,且所述第三連線(xiàn)的長(zhǎng)度大于零,且小于所述晶圓的直徑。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,所述晶圓的直徑為300mm,所述第三連線(xiàn)的長(zhǎng)度為200mm。
7.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,所述第一頂傳感端和所述第一底傳感端形成第一光學(xué)傳感組件,所述晶圓垂直穿過(guò)所述第一連線(xiàn),所述晶圓的第一邊緣點(diǎn)和相對(duì)的第二邊緣點(diǎn)分別穿過(guò)所述第一連線(xiàn)生成第一位置信息和第二位置信息。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,所述第二頂傳感端和所述第二底傳感端形成第二光學(xué)傳感組件,所述晶圓垂直穿過(guò)所述第二連線(xiàn),所述晶圓的第三邊緣點(diǎn)和相對(duì)的第四邊緣點(diǎn)分別穿過(guò)所述第二連線(xiàn)生成第三位置信息和第四位置信息。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,根據(jù)所述第一位置信息、第二位置信息、第三位置信息和第四位置信息生成所述晶圓的圓心位置信息。
10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,所述第一光學(xué)傳感組件和所述第二光學(xué)傳感組件分別包括反射式光學(xué)傳感組件和透射式光學(xué)傳感組件。
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H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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