[發明專利]采用具有不同含量的氟和氧的釹基材料的LED設備

有效

• 申請號: 202110391452.7
• 申請日: 2016-03-16
• 公開（公告）號: CN113280274B
• 公開（公告）日: 2023-06-09
• 發明（設計）人: 蔡登科;K.J.本納;T.J.博伊勒;T.克林;W.E.科亨;J-P.杜克魯克斯;何建民;J.B.詹斯馬;C.林;J.P.賴斯曼;A.M.斯里瓦斯塔瓦;B.J.沃德;王智勇;W.R.懷特;Q.伊
• 申請（專利權）人: 賽萬特科技有限責任公司
• 主分類號: F21K9/232
• 分類號: F21K9/232;F21K9/64;H01L33/58;F21Y115/10
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 鄭浩;呂傳奇

1.一種采用釹基材料的設備，其包括：

至少一個發光二極管(LED)模塊，其被配置成產生可見光；所述發光二極管(LED)模塊封裝在光學部件內；

包含NdF_xO_y化合物的第一層，所述NdF_xO_y化合物：(i)沉積在所述光學部件的表面上；以及(ii)具有相應濃度的釹(Nd)、氟(F)和氧(O)，其中x和y的值確定所述氟(F)和所述氧(O)的比率并且在NdF_xO_y化合物的制造期間進行調節，以提供所述設備的所需輸出光參數，其包括至少通過使用所述NdF_xO_y化合物過濾產生的可見光實現的所需輸出光譜；以及

聚合物復合層，所述聚合物復合層：(i)沉積在所述至少一個發光二極管(LED)模塊的表面上；以及(ii)包括與磷光體共混的所述NdF_xO_y化合物；

其中x的值在0.3和0.5之間，并且y的值在1.25和1.33之間。

2.根據權利要求1所述的設備，其中，所述發光二極管(LED)模塊安裝在印刷電路板上。

3.根據權利要求1所述的設備，其中，所述第一層和所述聚合物復合層組合以形成所述光學部件的所述表面上的一層。

4.根據權利要求1所述的設備，其中，所述第一層和所述聚合物復合層中的一個層沉積在所述光學部件的外表面上，而所述第一層和所述聚合物復合層中的另一層沉積在所述光學部件的內表面上。

5.根據權利要求1所述的設備，其中，所述NdF_xO_y化合物包含在560nm和600nm之間的波長范圍內的所需吸收峰，其用來提供所述所需輸出光譜。

6.根據權利要求5所述的設備，其中，在所述所需吸收峰處的所需折射率為從1.6至1.8。

7.根據權利要求1所述的設備，其中，所述NdF_xO_y化合物是單晶相化合物。

8.根據權利要求1所述的設備，其中，所述NdF_xO_y化合物通過使用濕化學處理，使用流動的氟氣(F₂)或氫氟酸(HF)的氟化處理，由氧化釹(Nd₂O₃)制造。

9.根據權利要求8所述的設備，其中，在所述氟化處理期間使用改變的一個或多個參數來控制所述NdF_xO_y中的x和y，所述參數包括：氫氟酸(HF)濃度、處理溫度、反應時間和氟氣(F₂)濃度。

10.根據權利要求1所述的設備，其中，所述NdF_xO_y化合物通過使用固體反應方法的干式法來制造，所述固體反應方法包括將氧化釹(Nd₂O₃)和氟化釹(NdF₃)以所述氧化釹(Nd₂O₃)和所述氟化釹(NdF₃)的預定重量比共混，以形成共混的化合物，隨后在惰性氣體的保護氣氛下，將所述共混的化合物高溫合成所述NdF_xO_y化合物，其中所述氧化釹(Nd₂O₃)和所述氟化釹(NdF₃)的預定重量比對應于制造的NdF_xO_y化合物中的氟(F)和氧(O)之比。

11.根據權利要求10所述的設備，其中，所述惰性氣體包含氮(N₂)氣或氬(Ar)氣。