[發明專利]陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示面板

有效

• 申請號: 202110391323.8
• 申請日: 2021-04-12
• 公開（公告）號: CN113161292B
• 公開（公告）日: 2023-04-25
• 發明（設計）人: 陳陽;張合靜;許哲豪;袁海江
• 申請（專利權）人: 北海惠科光電技術有限公司;惠科股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 張志江

1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，所述陣列基板的制作方法包括：

提供一基板；

在所述基板上依次形成第一金屬層、柵極絕緣層和有源層；

在所述有源層上依次形成至少兩層摻雜非晶硅薄膜，至少兩層所述摻雜非晶硅薄膜形成摻雜層；

其中，所述摻雜非晶硅薄膜采用等離子體化學氣相沉淀法沉積，至少一層所述摻雜非晶硅薄膜采用低射頻功率沉積，至少一層所述摻雜非晶硅薄膜采用高射頻功率沉積，所述高射頻功率的范圍為大于或等于6.2KW；所述低射頻功率的范圍為小于或等于5KW，當膜厚大于等于100埃，且小于150埃時，采用5KW及以下功率的等離子體化學氣相沉淀法沉積成膜；當膜厚大于150埃時，采用6.2KW及以上功率的等離子體化學氣相沉淀法沉積成膜，所述摻雜層的厚度為400埃；

在所述有源層上依次形成至少兩層摻雜非晶硅薄膜的步驟包括：

在所述有源層上采用低射頻功率沉積第一層摻雜非晶硅薄膜，所述第一層摻雜非晶硅薄膜的厚度在100-125埃之間；

在所述第一層摻雜非晶硅薄膜背離所述有源層的一側采用高射頻功率沉積第二層摻雜非晶硅薄膜，所述第二層摻雜非晶硅薄膜的厚度在150-200埃之間；

在所述第二層摻雜非晶硅薄膜背離所述第一層摻雜非晶硅薄膜的一側采用低射頻功率沉積第三層摻雜非晶硅薄膜，所述第三層摻雜非晶硅薄膜的厚度在100-125埃之間。

2.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述有源層上依次形成至少兩層摻雜非晶硅薄膜，至少兩層所述摻雜非晶硅薄膜形成摻雜層的步驟之后，還包括：

在所述摻雜層上沉積第二金屬層。

3.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括：

基板；

第一金屬層，所述第一金屬層設置在所述基板上；

柵極絕緣層，設于所述第一金屬層上；

有源層，設于所述柵極絕緣層上；以及

摻雜層，所述摻雜層包括三層摻雜非晶硅薄膜；

其中，所述摻雜非晶硅薄膜采用如權利要求1至2任意一項所述的制作方法制作。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，三層所述摻雜非晶硅薄膜的厚度不同。

5.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括彩膜基板及如權利要求3或4所述的陣列基板；所述彩膜基板裝設在所述陣列基板的出光方向上。