[發(fā)明專利]一種用于細胞培養(yǎng)的非接觸電場裝置及其細胞培養(yǎng)方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202110391165.6
• 申請日: 2021-04-12
• 公開（公告）號: CN113122448A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 尹美芳;王凌云;劉宏偉;袁建強;袁鳴洲;吳軍
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市第二人民醫(yī)院（深圳市轉(zhuǎn)化醫(yī)學(xué)研究院）
• 主分類號: C12M3/00
• 分類號: C12M3/00;C12M1/42;C12N13/00
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 張金福

1.一種用于細胞培養(yǎng)的非接觸電場裝置，其特征在于，包括細胞培養(yǎng)板、底座、以及上蓋，所述細胞培養(yǎng)板放置于底座和上蓋之間；所述底座上設(shè)有第一導(dǎo)電金屬電極；所述上蓋設(shè)置第二導(dǎo)電金屬電極，所述第二導(dǎo)電金屬電極表面設(shè)有絕緣材料，與細胞培養(yǎng)液隔離開來；

所述第一導(dǎo)電金屬電極和第二導(dǎo)電金屬電極分別連接電源的正負極，在每個細胞培養(yǎng)孔中形成給予細胞電場刺激的豎直方向電場。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述用于細胞培養(yǎng)的非接觸電場裝置，其特征在于，所述第一導(dǎo)電金屬電極為導(dǎo)電金屬板，所述第一導(dǎo)電金屬電極與第二導(dǎo)電金屬電極之間形成一個電場。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述用于細胞培養(yǎng)的非接觸電場裝置，其特征在于，所述第一導(dǎo)電金屬電極和第二導(dǎo)電金屬電極均為若干個獨立的導(dǎo)電金屬電極；所述導(dǎo)電金屬電極與細胞培養(yǎng)孔一一對應(yīng)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述用于細胞培養(yǎng)的非接觸電場裝置，其特征在于，所述第一導(dǎo)電金屬電極和第二導(dǎo)電金屬電極均分成至少兩組，同一組導(dǎo)電金屬電極之間電連接；所述第一導(dǎo)電金屬電極與第二導(dǎo)電金屬電極之間形成至少兩個電場。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述用于細胞培養(yǎng)的非接觸電場裝置，其特征在于，所述上蓋設(shè)有與細胞培養(yǎng)孔適配的絕緣凸塊，所述絕緣凸塊內(nèi)設(shè)置第二導(dǎo)電金屬電極。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述用于細胞培養(yǎng)的非接觸電場裝置，其特征在于，所述第二導(dǎo)電金屬電極底部與細胞培養(yǎng)孔底部之間的距離為0.4～1cm。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述用于細胞培養(yǎng)的非接觸電場裝置，其特征在于，所述底座上設(shè)有若干用于固定細胞培養(yǎng)板位置的限位件。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述用于細胞培養(yǎng)的非接觸電場裝置，其特征在于，所述第二導(dǎo)電金屬電極之間通過PCB板形成電連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述用于細胞培養(yǎng)的非接觸電場裝置，其特征在于，所述第二導(dǎo)電金屬電極為金屬塊，所述金屬塊的一端固定于上蓋板。

10.一種用非接觸電場裝置的細胞培養(yǎng)方法，使用權(quán)利要求1～9任意一項用于細胞培養(yǎng)的非接觸電場裝置；在細胞培養(yǎng)孔放入含培養(yǎng)對象的細胞培養(yǎng)液；第一導(dǎo)電金屬電極和第二導(dǎo)電金屬分別連接電源的正負極；向?qū)щ娊饘匐姌O通電，在細胞培養(yǎng)孔內(nèi)形成豎直電場，實現(xiàn)非接觸給與細胞豎直電場刺激。