[發明專利]陣列基板及其制備工藝、顯示面板和顯示裝置在審
| 申請號: | 202110390869.1 | 申請日: | 2021-04-12 |
| 公開(公告)號: | CN112885853A | 公開(公告)日: | 2021-06-01 |
| 發明(設計)人: | 喬亞崢;郭會斌;沈鷺;孔曾杰;王明;代耀;劉俊;趙達裕;丁俊 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;武漢京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京華夏泰和知識產權代理有限公司 11662 | 代理人: | 韓來兵 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制備 工藝 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本發明涉及顯示技術領域,具體而言,涉及一種陣列基板及其制備工藝、顯示面板和顯示裝置。陣列基板包括過孔區和搭接金屬線,所述過孔區至少設置有兩個且所述過孔區內均形成有第一過孔,所述搭接金屬線的兩端分別伸入兩個過孔區內的第一過孔,所述過孔區在所述陣列基板的厚度方向包括依次層疊設置的襯底基板、公共電極、柵極絕緣層、第一有源層、鈍化層和像素電極,所述搭接金屬線位于所述有源層和鈍化層之間。陣列基板結構簡單、易于實現,在不增加生產工序及成本的條件下,可以提高過孔區的膜層厚度,增加了搭接金屬線與公共電極的距離,同時可以縮小孔洞處兩者的正對面積,有效解決了過孔易發生異常放電的難題,提高了產品的良率。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,具體而言,涉及一種陣列基板及其制備工藝、顯示面板和顯示裝置。
背景技術
隨著TFT產業的進步和工藝的改善,液晶顯示器發展迅猛。ADS作為TFT-LCD顯示區結構的一種模式,具有寬視角、高開口率、低色差、低響應時間等優點,已被應用到越來越多的產品當中,包括手機、電腦及液晶電視等。通常ADS陣列一般采用柵金屬層來制作公共電極線,采用透明導電層作為公共電極,并將柵電極線兩側公共電極通過設置在像素區域的搭接過孔(COM孔)及搭接金屬線連接起來。
在現有的ADS陣列基板中,搭接金屬線與公共電極有交疊區,在鈍化層上對光刻膠進行曝光、顯影工藝,在公共電極上方包含交疊區的區域形成開口,然后刻蝕制成COM孔,由于干刻化學刻蝕的影響,在搭接金屬線的一端與公共電極正對的區域的絕緣層被刻蝕掉,導致下方存在孔洞。同時,搭接金屬線與公共電極之間垂直距離僅為絕緣層的厚度,間距較小,極易引起搭接金屬線和公共電極發生異常放電,會造成器件大面積燒毀,而且8K高清顯示產品等的像素密度較大,COM孔較多,良率損失嚴重。
發明內容
為了解決上述技術問題或者至少部分地解決上述技術問題,本發明實施例提供了一種陣列基板及其制備工藝、顯示面板和顯示裝置。
為了實現上述目的,根據本發明實施例的第一個方面,提供了一種陣列基板。
根據本發明實施例的陣列基板,其包括過孔區和搭接金屬線,所述過孔區至少設置有兩個且所述過孔區內均形成有第一過孔,所述搭接金屬線的兩端分別伸入兩個過孔區內的第一過孔,所述過孔區在所述陣列基板的厚度方向包括依次層疊設置的襯底基板、公共電極、柵極絕緣層、第一有源層和鈍化層,所述搭接金屬線位于所述第一有源層和鈍化層之間。
進一步地,所述柵極絕緣層的厚度為
進一步地,所述第一有源層的厚度為
進一步地,所述陣列基板還包括柵電極線,所述柵電極線將所述公共電極分隔為兩部分,所述過孔區分布在所述柵電極的兩側,所述搭接金屬線用于連接分布在所述柵電極線兩側的過孔區。
進一步地,所述第一過孔內填充有導電介質,用于實現所述搭接金屬線與所述公共電極的電性連接。
進一步地,所述陣列基板還包括公共電極線,位于所述柵電極線同側公共電極之間通過所述公共電極線串聯。
進一步地,所述陣列基板還包括第二有源層、源電極和漏電極,所述源電極和所述漏電極連接所述第二有源層。
進一步地,所述陣列基板還包括像素電極和數據線,所述源電極與所述數據線電性連接,所述漏電極與所述像素電極電性連接。
為了實現上述目的,根據本發明實施例的第二個方面,還提供了一種顯示面板,其包括本發明實施例第一方面所提供的陣列基板。
為了實現上述目的,根據本發明實施例的第三個方面,還提供了一種顯示裝置,其包括本發明實施例第二方面所提供的顯示面板。
為了實現上述目的,根據本發明實施例的第四個方面,還提供了一種陣列基板的制備工藝,其用于制備本發明實施例第一方面所提供的陣列基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





