[發明專利]一種同軸封裝的電吸收調制激光器裝置

在審

• 申請號: 202110390601.8
• 申請日: 2021-04-12
• 公開（公告）號: CN112968351A
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發明（設計）人: 丁植;陽曦;羅榴
• 申請（專利權）人: 廣東瑞谷光網通信股份有限公司
• 主分類號: H01S5/02255
• 分類號: H01S5/02255;H01S5/02326;H01S5/024
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 牛亭亭

本發明涉及光纖通信技術領域，特別涉及一種同軸封裝的電吸收調制激光器裝置。裝置包括管座、半導體制冷器、管帽組件、電吸收調制激光器芯片和熱沉；管帽組件設置在管座上形成用于密封管座上安裝元件的密封空間；管座包括承載面，在密封空間內，半導體制冷器設置在承載面上，熱沉設置在半導體制冷器的背離承載面的一側上；電吸收調制激光器芯片貼裝于熱沉靠近管座中心軸的一面上，管帽組件用于透射電吸收調制激光器芯片出射的信號光，電吸收調制激光器芯片出光的光軸與管座的中心軸相互重合。電吸收調制激光器芯片在垂直于承載面的方向直接出射信號光，管帽組件透射信號光，確保了光路的穩定性，提升電吸收調制激光器的可靠性。

技術領域

本發明涉及光纖通信技術領域，特別涉及一種同軸封裝的電吸收調制激光器裝置。

背景技術

電吸收調制激光器作為一種可靠的光源在長距離高速光纖傳輸系統中發揮著重要的作用。隨著光通信行業的發展，更高速率，更長傳輸距離的激光器的需求持續增加。傳統的激光器主要是采用內調制技術的直調式激光器，直調式激光器按調制信號對光源本身直接調制，以調制信號改變激光器的振蕩參數，通過偏置電流的變化改變激光器輸出特性以實現調制，加載信號是在激光振蕩過程中進行，其體積小、結構簡單、容易實現，并且成本低。但是頻帶利用率較低，因其特殊的啁啾效應，內調制的速率很難滿足以太網長距離的傳輸，不能滿足高速率光通信系統的需要。而采用外調制技術的電吸收激光器將激光光束直接發射在調制器上，用調制信號改變調制器的物理性能，從而使通過調制器的激光束光波的參量發生變化，降低啁啾效應，容易實現高速率光信號的調制，因此逐漸取代了直調式激光器成為市場主流。

早先的電吸收激光器主要采用BOX封裝，其優勢在于內置空間大，散熱性能良好，但隨著設備廠商小型化整合，BOX結構無法滿足其尺寸要求，同時BOX封裝成本也遠大于同軸封裝。同軸封裝逐漸取代了BOX封裝成為市場主流，采用同軸封裝的方式一方面可以降低管殼的成本，另一方面可以隨著主流的模塊尺寸進行封裝。

但是，目前市場上的電吸收激光器的同軸封裝結構存在一個問題：電吸收調制激光器芯片臥式貼裝在熱沉上，若想讓電吸收調制激光器芯片產生的激光從帽狀殼體豎直發射到光纖適配器需在光路中增加45°反射鏡，而反射鏡貼片的精度將直接影響光路穩定性，進而影響耦合的光功率，工藝難度大，可靠性差。

發明內容

針對上述存在的技術問題，本申請提供一種同軸封裝的電吸收調制激光器裝置，提升光信號傳輸的穩定性。

一種同軸封裝的電吸收調制激光器裝置，包括管座、半導體制冷器、管帽組件、電吸收調制激光器芯片和熱沉；

所述管帽組件設置在所述管座上，且形成有用于密封所述管座上安裝元件的密封空間；

所述管座包括承載面，在所述密封空間內，所述半導體制冷器設置在所述承載面上，所述熱沉設置在所述半導體制冷器的背離所述承載面的一側上；

所述管帽組件用于透射電吸收調制激光器芯片出射的信號光，所述電吸收調制激光器芯片貼裝于所述熱沉靠近所述管座中心軸的一面上，所述電吸收調制激光器芯片出光的光軸與所述管座的中心軸相互重合。

優選地，所述管帽組件包括透鏡和管帽，所述透鏡設置在所述管帽上，所述透鏡用于透射電吸收調制激光器芯片出射的信號光。

優選地，還包括鎢銅塊，所述鎢銅塊貼裝于所述熱沉遠離所述電吸收調制激光器芯片的一面上，同時所述鎢銅塊設置在所述半導體制冷器上。

優選地，所述熱沉與所述鎢銅塊采用銀膠連接。

優選地，所述熱沉選用氮化鋁材料。

優選地，還包括背光探測器，所述背光探測器與所述熱沉間隔預設距離設置在所述半導體制冷器上，所述背光探測器設置在所述電吸收調制激光器芯片的背光方向。