[發明專利]絕緣金屬基板及其制造方法在審
| 申請號: | 202110390304.3 | 申請日: | 2021-04-12 |
| 公開(公告)號: | CN114975292A | 公開(公告)日: | 2022-08-30 |
| 發明(設計)人: | 游豐駿;羅凱威;利文峯;蔡茹宜 | 申請(專利權)人: | 聚鼎科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/14 | 分類號: | H01L23/14;H05K1/02 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 黃艷 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 絕緣 金屬 及其 制造 方法 | ||
1.一種絕緣金屬基板,包括:
一線路圖案層;
一封裝層,該封裝層填滿該線路圖案層的金屬線路之間的間隙,且該封裝層的上表面與該線路圖案層的上表面齊平;
一第一粘合層;
一第二粘合層;及
一散熱元件,位于該線路圖案層和該封裝層下方;
其中該第一粘合層和該第二粘合層設置在該線路圖案層與該散熱元件之間,該第一粘合層接觸該線路圖案層和該封裝層,該第二粘合層接觸該散熱元件,及
其中該第一粘合層與該第二粘合層之間形成物理接觸且粘著力大于80kg/cm2。
2.根據權利要求1所述的絕緣金屬基板,其中該線路圖案層包含銅,并具有0.3mm~10mm的厚度。
3.根據權利要求1所述的絕緣金屬基板,其中該第一粘合層與該線路圖案層之間的粘著力大于80kg/cm2,及該第二粘合層與該散熱元件之間的粘著力大于80kg/cm2。
4.根據權利要求1所述的絕緣金屬基板,其中該第一粘合層與該第二粘合層的玻璃轉移溫度Tg大于150℃。
5.根據權利要求1所述的絕緣金屬基板,其中該第一粘合層與該第二粘合層的各個的厚度在25μm~100μm的范圍內,該第一粘合層與該第二粘合層之間的粘著力在80kg/cm2~300kg/cm2的范圍內。
6.根據權利要求1所述的絕緣金屬基板,其中該第一粘合層與該第二粘合層具有相同或不同組成。
7.根據權利要求6所述的絕緣金屬基板,其中該第一粘合層與該第二粘合層均是由粘合材料制成,該粘合材料包含:
一高分子成分,占該粘合材料的體積百分比介于15%至60%之間,且包含熱固型環氧樹脂及可改善熱固性環氧樹脂耐沖擊性的改質聚合物,該改質聚合物包含熱塑型塑膠、橡膠或其組合物,且該改質聚合物占該高分子成分的體積百分比是介于4%至45%之間;
一導熱填料,均勻分散于該高分子成分中,且占該粘合材料的體積百分比介于40%至85%之間;
一固化劑,用于在高于120℃的溫度下固化該熱固型環氧樹脂;以及
一固化加速劑,包含尿素或其化合物;
其中該粘合材料的導熱率大于3W/m-K。
8.根據權利要求7所述的絕緣金屬基板,其中該粘合材料制作成100μm厚度的片狀材料時,該粘合材料的熱阻率小于0.5℃/W且可耐大于500伏特的電壓。
9.根據權利要求7所述的絕緣金屬基板,其中該導熱填料包含一種或多種陶瓷粉末。
10.根據權利要求7所述的絕緣金屬基板,其中該導熱填料選自氮化鋯、氮化硼、氮化鋁、氮化硅、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、二氧化硅、二氧化鈦或其混合物。
11.根據權利要求1所述的絕緣金屬基板,其中該散熱元件包括一底板與多個凸出部,所述凸出部沿著與該底板延伸方向垂直的方向往外突出,所述凸出部之間具有間隙。
12.一種絕緣金屬基板的制造方法,包括:
提供一導熱基板,該導熱基板由下至上依序包含一金屬基底、一第一粘合層及一金屬層;
移除部分的該金屬層,以形成一線路圖案層,該線路圖案層暴露部分的該第一粘合層;
在該線路圖案層上形成一封裝層,該封裝層填滿該線路圖案層的金屬線路之間的間隙;
移除該封裝層的頂部部分,使得該封裝層的上表面與該線路圖案層的上表面齊平;
移除該金屬基底;
提供一散熱元件,其中一第二粘合層設置在該散熱元件上;及
將該第二粘合層貼合至該第一粘合層,使得該第一粘合層與該第二粘合層之間形成物理接觸且粘著力大于80kg/cm2。
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