[發(fā)明專利]碳化硅納米顆粒及其制備方法和應(yīng)用在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110390284.X | 申請(qǐng)日： | 2021-04-12 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN113105245A | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-07-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王城;周加文;夏維東 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 合肥碳藝科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C04B35/565 | 分類號(hào)： | C04B35/565;C04B35/626;H01L33/50;B82Y10/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 合肥天明專利事務(wù)所(普通合伙) 34115 | 代理人： | 張夢(mèng)媚 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市高新區(qū)望江西*** | 國(guó)省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 碳化硅 納米 顆粒 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種碳化硅納米顆粒的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供含硅有機(jī)前驅(qū)體作為碳源和硅源；
引導(dǎo)所述含硅有機(jī)前驅(qū)體至大氣壓非平衡等離子體區(qū)域，在等離子體的誘導(dǎo)下反應(yīng)，獲得碳化硅納米顆粒。
2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述含硅有機(jī)前驅(qū)體選自甲基硅烷、二甲基硅烷、三甲基硅烷、四甲基硅烷、乙基硅烷、六甲基二硅烷中的至少一種。
3.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述大氣壓非平衡等離子體區(qū)域的形成采用電弧放電、微波放電、輝光放電中的至少一種。
4.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述大氣壓非平衡等離子體區(qū)域中，等離子體的工質(zhì)氣體選自氬氣、氮?dú)狻錃狻⒑庵械闹辽僖环N。
5.如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述工質(zhì)氣體的流量在2-50slm。
6.如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述含硅有機(jī)前驅(qū)體中硅原子的摩爾流量與所述工質(zhì)氣體的摩爾流量之比不高于1：20。
7.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述大氣壓非平衡等離子體區(qū)域中，等離子體的電子1.0-5.0eV，重粒子溫度為300-1000K，氣體平均溫度為300-1000K，放電氣壓為1.0bar，放電功率為10-1000W。
8.一種碳化硅納米顆粒，其特征在于，采用如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的制備方法制得。
9.如權(quán)利要求8所述的碳化硅納米顆粒，其特征在于，所述碳化硅納米顆粒為非晶碳化硅納米顆粒，呈準(zhǔn)球形，其平均粒徑小于10nm，在340-420nm的激發(fā)光激發(fā)下具有藍(lán)、綠光發(fā)射。
10.一種碳化硅納米顆粒在用于制備發(fā)光器件中的應(yīng)用，其特征在于，所述碳化硅納米顆粒采用如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的制備方法制得。
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