[發(fā)明專利]陣列基板、像素電路、顯示面板及顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110389963.5 | 申請日: | 2021-04-12 |
| 公開(公告)號: | CN113113461A | 公開(公告)日: | 2021-07-13 |
| 發(fā)明(設計)人: | 郭永林;肖云升;高文輝 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09G3/3225 |
| 代理公司: | 北京華夏泰和知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11662 | 代理人: | 吳雪 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陣列 像素 電路 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本申請涉及陣列基板技術(shù)領(lǐng)域,本申請公開一種陣列基板、像素電路、顯示面板及顯示裝置。陣列基板包括襯底、第一電極層、第一絕緣層及第二電極層,所述第一電極層位于接近所述襯底的一側(cè),所述第一電極層與所述第二電極層之間為所述第一絕緣層,所述第一電極層或所述第二電極層接入恒定的負電壓信號。與現(xiàn)有技術(shù)相比,通過在第一電極層或第二電極層接入恒定的負電壓信號,進而降低陣列基板在工作過程中對襯底內(nèi)負電荷的吸引,避免襯底內(nèi)的電荷在工作較長時間后,向靠近所述第一電極層或所述第二電極層的襯底表面積累,減小所述襯底表面電荷濃度,進而削弱殘像問題。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及陣列基板技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種陣列基板、像素電路、顯示面板及顯示裝置。
背景技術(shù)
OLED(有機發(fā)光半導體Organic Light-Emitting Diode)顯示器是一種全固態(tài)、主動發(fā)光型顯示器。OLED顯示器具有高亮度、高對比度、超薄超輕、低功耗、無視角限制、工作溫度范圍廣等特性,因此被認為是新興的下一代顯示器。但顯示技術(shù)發(fā)展到現(xiàn)在同樣遇到很多問題,尤為突出的問題就是顯示殘像,殘像的影響因素與缺陷態(tài)對電子/空穴的捕獲和釋放過程及電子/空穴濃度強度相關(guān)。然而目前的陣列基板在實際工作狀態(tài)下,比如發(fā)光階段,電極層或柵極層會長時間帶有正電壓,這就容易將襯底的負電荷吸引到襯底靠近電極層或柵極層的表面,這也就加重了顯示殘像的問題。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中顯示殘像技術(shù)問題,本申請的主要目的在于,提供能夠降低顯示殘像問題的一種陣列基板、像素電路、顯示面板及顯示裝置。
為實現(xiàn)上述發(fā)明目的,本申請采用如下技術(shù)方案:
根據(jù)本申請的一個方面,提供了一種陣列基板,包括襯底、第一電極層、第一絕緣層及第二電極層,所述第一電極層位于接近所述襯底的一側(cè),所述第一電極層與所述第二電極層之間為所述第一絕緣層,所述第一電極層或所述第二電極層接入恒定的負電壓信號。
根據(jù)本申請的一實施方式,其中所述第一電極層包括第一電容極板區(qū),所述第二電極層包括第二電容極板區(qū),所述第一電容極板區(qū)與所述第二電容板區(qū)組成存儲電容。
根據(jù)本申請的一實施方式,其中所述第一電極層的電壓值大于或小于所述第二電極層的電壓值。
根據(jù)本申請的一實施方式,其中接入恒定負電壓的電容極板區(qū)大于另一電容極板區(qū)的面積。
根據(jù)本申請的一實施方式,其中所述第一電極層與所述襯底之間還具有第二絕緣層與半導體層,所述半導體層靠近所述襯底,所述第二絕緣層靠近所述第一電極層。
根據(jù)本申請的一實施方式,其中所述第一電極層為像素電路中的第一柵極層,所述第二電極層為像素電路中的第二柵極層。
根據(jù)本申請的另一方面,提供一種像素電路,包括驅(qū)動模塊、數(shù)據(jù)寫入模塊及發(fā)光控制模塊;所述驅(qū)動模塊的包括用于連接的第一節(jié)點、第二節(jié)點及第三節(jié)點;
所述數(shù)據(jù)寫入模塊連接于所述第一節(jié)點、所述第二節(jié)點及第三節(jié)點,以使所述數(shù)據(jù)寫入模塊與所述驅(qū)動模塊連接;
所述發(fā)光控制模塊連接于所述第二節(jié)點及所述第三節(jié)點,以使所述發(fā)光控制模塊與所述驅(qū)動模塊及數(shù)據(jù)寫入模塊連接;
所述驅(qū)動模塊控制所述發(fā)光控制模塊向所述第一節(jié)點接入第一電信號,所述數(shù)據(jù)寫入模塊的一端接入第二電信號,所述第二電信號為恒定的負電壓信號。
根據(jù)本申請的一實施方式,其中包括復位控制模塊,所述復位控制模塊通過所述第一節(jié)點與所述數(shù)據(jù)寫入模塊連接,所述復位控制模塊的一端接入第三電信號,以通過所述第一節(jié)點接入所述第三電信號。
根據(jù)本申請的一實施方式,其中所述第三電信號為恒定的負電壓信號,所述第一電信號為恒定的正電壓信號。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





