[發明專利]一種具有交錯槽柵結構的橫向雙擴散金屬氧化物半導體器件

有效

• 申請號: 202110389306.0
• 申請日: 2021-04-12
• 公開（公告）號: CN113113495B
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發明（設計）人: 孫偉鋒;盧麗;殷智博;桑遠昌;劉斯揚;時龍興
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/417
• 代理公司: 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249
• 代理人: 沈廉

1.一種具有交錯槽柵結構的橫向雙擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于該器件以P型襯底（1）為襯底，在P型襯底（1）的上方設有高壓N型區（2），在高壓N型區（2）內設有P型體區（11）和左右對稱設置的第一N型漂移區（3A）、第二N型漂移區（3B），在第一N型漂移區（3A）、第二N型漂移區（3B）內分別設有第一 N型漏區（4A）、第二 N型漏區（4B），在第一N型漏區（4A）、第二N型漏區（4B）上分別設有第一漏極金屬接觸（5A）、第二漏極金屬接觸（5B），在第一N型漂移區（3A）、第二N型漂移區（3B）表面分別設有第一場氧化層（6A）、第二場氧化層（6B），在第一場氧化層（6A）、第二場氧化層（6B）上方分別設有第一源級場板（7A）、第二源級場板（7B）；在P型體區（11）和第一N型漂移區（3A）、第二N型漂移區（3B）上表面還分別設有第一柵極氧化層（10A）、第二柵極氧化層（10B），在第一柵極氧化層（10A）、第二柵極氧化層（10B）上方分別覆蓋有第一多晶硅柵極（8A）、第二多晶硅柵極（8B）；在P型體區（11）內設有N型源區（12）、第一P型源區（13A）、第二P型源區（13B）和溝槽多晶硅柵極（8C），所述溝槽多晶硅柵極（8C）位于N型源區（12）內，溝槽多晶硅柵極（8C）的槽底延伸至高壓N型區（2），在N型源區（12）、第一P型源區（13A）和第二P型源區（13B）上分別設有第一源極金屬接觸（9A）、第二源極金屬接觸（9B）；

所述溝槽多晶硅柵極（8C）在器件寬度上等間隔分布，在器件長度方向上呈交錯分布，第一P型源區（13A）和第二P型源區（13B）位于溝槽多晶硅柵極（8C）未交錯區域并與溝槽多晶硅柵極（8C）相隔一定距離。

2.根據權利要求1所述的具有交錯槽柵結構的橫向雙擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，所述第一P型源區（13A）和第二P型源區（13B）的寬度與溝槽多晶硅柵極（8C）寬度相同，第一P型源區（13A）靠近第一N型漏區（4A）和第二P型源區（13B）靠近第二N型漏區（4B）的邊界分別與溝槽多晶硅柵極（8C）靠近第一N型漏區（4A）和第二N型漏區（4B）的邊界齊平。

3.根據權利要求1所述的一種具有交錯槽柵結構的橫向雙擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，所述第一源極金屬接觸（9A）為長方體狀，在該長方體的中間設有一凹槽，第二源極金屬接觸（9B）為長方體狀，在該長方體的中間設有一凸塊，該凸塊與所述的凹槽的位置相對。