[發(fā)明專利]高亮度LED光源用基板及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110388728.6 | 申請(qǐng)日: | 2021-04-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113121243B | 公開(公告)日: | 2022-08-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 章賢駿;凌建鴻;潘婷;白文鑫 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 杭州安譽(yù)科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C04B35/577 | 分類號(hào): | C04B35/577;C04B35/81;C04B35/622;C04B35/626;C04B38/00;C04B41/85;C08F216/14;C08F230/08;C01B32/194;H01L33/64 |
| 代理公司: | 北京國(guó)翰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11696 | 代理人: | 張?zhí)斐?/td> |
| 地址: | 310016 浙江省杭州市江*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 亮度 led 光源 用基板 及其 制備 方法 | ||
1.一種氟硅烷偶聯(lián)劑低聚物改性碳化硅晶須在提升碳化硅陶瓷板導(dǎo)熱系數(shù)中的應(yīng)用;
所述氟硅烷偶聯(lián)劑低聚物改性碳化硅晶須是以式(1)所示氟硅烷偶聯(lián)劑低聚物對(duì)碳化硅晶須進(jìn)行改性獲得;
(1);
將氟硅烷偶聯(lián)劑低聚物改性碳化硅晶須與碳化硅、粘接劑燒結(jié)制得碳化硅陶瓷板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用,其特征在于:所述氟硅烷偶聯(lián)劑低聚物經(jīng)由下述步驟制備得到:等重量二甲苯與丙二醇甲醚混合為溶劑,氮?dú)獠嚢柘拢瑢⒐柰榕悸?lián)劑、含氟單體、硅烷偶聯(lián)劑、偶氮二異丁腈和二月桂酸二正丁基錫的混合物在2~2.5h時(shí)間內(nèi)勻速滴加入105~110℃的混合溶劑中,保溫?cái)嚢璺磻?yīng)20~30min,降至室溫并以低溫旋蒸去除溶劑,真空烘干即得。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用,其特征在于:所述氟硅烷偶聯(lián)劑低聚物改性碳化硅晶須具體以下述方法獲得:碳化硅晶須分散于足量甲苯中,依次加入微量氟硅烷偶聯(lián)劑低聚物和去離子水,緩慢升溫至65~75℃,攪拌反應(yīng)至少4h,抽濾、醇洗至少各3次后低溫干燥至恒重。
4.一種高亮度LED光源用基板,其特征在于包括:
由碳化硅和權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述氟硅烷偶聯(lián)劑低聚物改性碳化硅晶須制得的碳化硅陶瓷板;
含有棉酚接枝石墨烯的環(huán)氧樹脂層;及
氮化鋁散熱板。
5.權(quán)利要求4所述高亮度LED光源用基板的制備方法,其特征在于:
以碳化硅和前述改性碳化硅晶須制備碳化硅陶瓷,
陶瓷表面涂覆含有棉酚接枝石墨烯的環(huán)氧樹脂層,
最后再在環(huán)氧樹脂層表面添加氮化鋁散熱板即得。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于具體包括:
1)碳化硅、磷酸二氫鋁以水為介質(zhì)球磨,加入改性碳化硅晶須后低速球磨,真空除氣后注入模具得到陶瓷素坯,干燥、脫模后真空低溫?zé)Y(jié)得碳化硅陶瓷;
2)棉酚接枝石墨烯分散于二氯甲烷,加入環(huán)氧樹脂后高速分散,除盡二氯甲烷后加入固化劑和促進(jìn)劑混合均勻,抽真空以徹底去除起泡,涂覆于碳化硅陶瓷表面并固化得環(huán)氧樹脂層;
3)環(huán)氧樹脂層表面添加氮化鋁散熱板即制得高亮度LED光源用基板。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于:環(huán)氧樹脂與棉酚接枝石墨烯、固化劑、促進(jìn)劑的重量比是100:5~8:85~90:1~2。
8.根據(jù)權(quán)利要求5~7任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于:棉酚接枝石墨烯具體經(jīng)由下述步驟制得:氧化石墨烯分散于丙酮,迅速加入棉酚,升溫至42~45℃輔助超聲攪拌反應(yīng)至少6h,高速離心后取出上層過量棉酚,將分散液凍干即得。
9.一種高亮度LED光源,其特征在于以權(quán)利要求4~8中任一項(xiàng)所述高亮度LED光源用基板作為陶瓷散熱基板。
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