[發(fā)明專利]一種提升8寸磨片參數(shù)的加工工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110387964.6 | 申請日: | 2021-04-12 |
| 公開(公告)號: | CN113199392A | 公開(公告)日: | 2021-08-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 姚科新;黃春峰;吳延 | 申請(專利權(quán))人: | 中環(huán)領(lǐng)先半導(dǎo)體材料有限公司 |
| 主分類號: | B24B37/005 | 分類號: | B24B37/005;B24B37/04;B24B37/08;B24B41/00;B24B55/02;B24B55/06;B24B57/02 |
| 代理公司: | 北京卓特專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11572 | 代理人: | 段宇 |
| 地址: | 214200 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 提升 寸磨片 參數(shù) 加工 工藝 | ||
1.一種提升8寸磨片參數(shù)的加工工藝,其特征在于:其工藝方法包括以下步驟:
S1、首先研磨加工過程通過上、下研磨盤作相反方向轉(zhuǎn)動,硅片在載體游星片中作既公轉(zhuǎn)又自轉(zhuǎn)的游星運動,通過調(diào)整游星片自轉(zhuǎn)速比可調(diào)整硅片自轉(zhuǎn)速度,采用電—氣比例閥閉環(huán)反饋壓力控制,通過流量計精確控制研磨過程研磨液流量大小,通過測厚控制系統(tǒng)探測石英片厚度精確控制研磨目標(biāo)厚度,從而保證研磨過程研磨阻力小不損傷硅片且雙面均勻研磨;
S2、然后TTV與研磨壓力關(guān)系:研磨壓力越小(硅片單位面積壓強越小),TTV越好,呈現(xiàn)一定線性關(guān)系;但同時考慮產(chǎn)能以及成本問題采用分段式壓力,前段高壓去除損傷層,后段輕壓修研提升產(chǎn)品TTV參數(shù),既保證產(chǎn)能又保證了產(chǎn)品幾何參數(shù),TTV與轉(zhuǎn)速比對應(yīng)關(guān)系:32B雙面研磨機臺支持正反轉(zhuǎn)速比切換,速比越高硅片在載體游星片中自轉(zhuǎn)越快,由于自旋平整度修復(fù)效應(yīng),高速比狀態(tài)下加工的硅片TTV較好,但同時對研磨大盤的損傷也更快,為達到現(xiàn)有修盤與加工工藝速比達到動態(tài)平衡,速比同樣采用測厚分段式速比,前段低速比保護大盤減少損耗,后段提升速比從而獲得較好的TTV;
S3、最后TTV與研磨流量的對應(yīng)關(guān)系:研磨液在研磨過程中起到冷卻、帶屑、緩沖以及保護硅片表面的作用,研磨液在維持現(xiàn)有配比的情況下(密度參數(shù)不變),研磨液流量越小,去除速率越快,且檔流量趨于臨界值時,易產(chǎn)生劃道等外觀不良,因此同樣采用“分段式”思路,前段加工過程采用低流量,保證去除速率,后段采用原始工藝流量保證表面以及獲得較好的TTV。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升8寸磨片參數(shù)的加工工藝,其特征在于:所述本工藝中所實用的輔料組成為1200#研磨砂、游星片、石英片、助磨劑KC581、硅片清洗劑04K。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升8寸磨片參數(shù)的加工工藝,其特征在于:所述本工藝需要保證磨片來料硅片厚度5μm分檔,且使用同檔厚度游星片、同批號研磨砂和助磨劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升8寸磨片參數(shù)的加工工藝,其特征在于:所述本工藝中所使用的研磨機為浜井32B雙面研磨機。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升8寸磨片參數(shù)的加工工藝,其特征在于:所述本工藝驗證流程包括切片分選→倒角→磨片→磨片清洗→酸腐→腐后清洗→外觀檢驗。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升8寸磨片參數(shù)的加工工藝,其特征在于:所述通過“田口實驗”的驗證方法,工藝參數(shù)變量有轉(zhuǎn)速比、大盤壓力和研磨流量。
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