[發明專利]排布優化方法、排布優化裝置、電子設備及可讀存儲介質

有效

• 申請號: 202110386230.6
• 申請日: 2021-04-09
• 公開（公告）號: CN113065258B
• 公開（公告）日: 2023-09-05
• 發明（設計）人: 戚宇軒;李偉;劉素平;馬驍宇
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: G06F30/20
• 分類號: G06F30/20;G06F119/08
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種排布優化方法，包括：

獲取初始陣列排布模型，其中，所述初始陣列排布模型包括邊緣陣列區域和內部陣列區域，所述邊緣陣列區域包圍所述內部陣列區域，所述邊緣陣列區域包括M個垂直腔面發射激光器VCSEL單元，所述內部陣列區域包括N個VCSEL單元，所述邊緣陣列區域呈目標形狀，位于所述邊緣陣列區域內的所述VCSEL單元的位置不可移動，位于所述內部陣列區域內的所述VCSEL單元的位置可移動，M≥3，N≥1；

調整所述初始陣列排布模型中的位于所述內部陣列區域內的所述VCSEL單元的位置，直至溫度勢能排斥模型達到穩定狀態，其中，所述溫度勢能排斥模型達到穩態狀態為調整后的初始陣列排布模型中的各個VCSEL單元之間的溫度斥力達到平衡的狀態；以及

在確定所述調整后的初始陣列排布模型中的邊緣陣列區域與所述初始陣列排布模型中的邊緣陣列區域一致的情況下，將所述調整后的初始陣列排布模型確定為目標陣列排布模型；

在確定所述調整后的初始陣列排布模型中的邊緣陣列區域與所述初始陣列排布模型中的邊緣陣列區域不一致的情況下，增加預設數量的位于所述邊緣陣列區域內的VCSEL單元，并減少所述預設數量的位于所述內部陣列區域內的VCSEL單元，得到新的初始陣列排布模型；

執行調整所述新的初始陣列排布模型中的位于所述內部陣列區域內的所述VCSEL單元的位置，確定調整后的新的初始陣列排布模型中的邊緣陣列區域與所述新的初始陣列排布模型中的邊緣陣列區域一致的情況下的操作；以及

在確定調整后的新的初始陣列排布模型中的邊緣陣列區域與所述新的初始陣列排布模型中的邊緣陣列區域一致的情況下，將所述調整后的新的初始陣列排布模型確定為所述目標陣列排布模型。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述預設數量包括一個。

3.根據權利要求1～2中任一項所述的方法，其中，兩個所述VCSEL單元之間的溫度斥力通過如下公式表示：

其中，表示VCSEL單元i和VCSEL單元j之間的溫度斥力；c表示預設常數，c＞0；P表示所述VCSEL單元i或所述VCSEL單元j的生熱功率，所述VCSEL單元i與所述VCSEL單元j的生熱功率相等，i∈{1，2，......，M+N-1，M+N}，j∈{1，2，......，M+N-1，M+N}，i≠j；r_ij表示所述VCSEL單元i與所述VCSEL單元j之間的距離。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述r_ij通過如下方式確定：

在確定所述VCSEL單元i與所述VCSEL單元j的徑向尺寸小于或等于各個所述VCSEL單元之間的距離的均值的情況下，所述VCSEL單元i與所述VCSEL單元j之間的距離用兩個點光源之間的距離表征，其中，所述兩個點光源包括所述VCSEL單元i所對應的熱源與所述VCSEL單元j所對應的熱源；

在確定所述VCSEL單元i與所述VCSEL單元j的徑向尺寸大于各個所述VCSEL單元之間的距離的均值的情況下，所述VCSEL單元i與所述VCSEL單元j之間的距離為所述VCSEL單元i的邊界與所述VCSEL單元j的邊界之間的最近距離。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述目標形狀包括規則形狀或非規則形狀。