[發(fā)明專利]一種熱沉及其制備方法、半導(dǎo)體激光器系統(tǒng)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110385325.6 | 申請(qǐng)日: | 2021-04-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113131333A | 公開(公告)日: | 2021-07-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 袁磊;劉曉雷;郭學(xué)文;潘華東;閔大勇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州長光華芯光電技術(shù)股份有限公司;蘇州長光華芯半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01S5/024 | 分類號(hào): | H01S5/024;H01S5/40 |
| 代理公司: | 北京三聚陽光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250 | 代理人: | 薛異榮 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市高新區(qū)昆侖山路189號(hào)*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 及其 制備 方法 半導(dǎo)體激光器 系統(tǒng) | ||
1.一種熱沉,其特征在于,所述熱沉具有相對(duì)的第一面和第二延展面,所述第一面包括第一臺(tái)階承載面至第N臺(tái)階承載面,第k臺(tái)階承載面與第k+1臺(tái)階承載面相鄰,第一臺(tái)階承載面的高度至第N臺(tái)階承載面的高度依次遞增,第一臺(tái)階承載面底部的第二延展面的高度至第N臺(tái)階承載面底部的第二延展面的高度依次遞增,N為大于或等于2的整數(shù),k為大于或等于1且小于或等于N-1的整數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱沉,其特征在于,第一臺(tái)階承載面至第N臺(tái)階承載面相互平行,所述第一臺(tái)階承載面至所述第N臺(tái)階承載面的排布方向與第一臺(tái)階承載面之間具有第一銳角夾角;所述第二延展面與所述第一臺(tái)階承載面之間具有第二銳角夾角;所述第二銳角夾角與所述第一銳角夾角之間的差值小于或等于1度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的熱沉,其特征在于,所述第二銳角夾角與所述第一銳角夾角相等。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的熱沉,其特征在于,所述第一銳角夾角為2.86度~4.57度。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的熱沉,其特征在于,所述第二銳角夾角為2.86度至6度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱沉,其特征在于,對(duì)于第一臺(tái)階承載面至第N臺(tái)階承載面中的各臺(tái)階承載面,在垂直于第一臺(tái)階承載面的方向上,各臺(tái)階承載面的中心至第二延展面的厚度一致。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的熱沉,其特征在于,對(duì)于第一臺(tái)階承載面至第N臺(tái)階承載面中的各臺(tái)階承載面,在垂直于第一臺(tái)階承載面的方向上,各臺(tái)階承載面的中心至第二延展面的厚度為2mm~3mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱沉,其特征在于,所述熱沉的材料包括銅、或者鋁合金。
9.一種如權(quán)利要求1至8任意一項(xiàng)所述的熱沉的制備方法,其特征在于,包括:
提供初始熱沉,所述初始熱沉具有相對(duì)的第一初始面和第二初始面;
對(duì)所述第一初始面進(jìn)行機(jī)械加工,對(duì)第二初始面進(jìn)行機(jī)械加工,使初始熱沉形成熱沉,且使第一初始面形成熱沉的第一面,使第二初始面形成熱沉的第二延展面;所述第一面包括第一臺(tái)階承載面至第N臺(tái)階承載面,第k臺(tái)階承載面與第k+1臺(tái)階承載面相鄰,第一臺(tái)階承載面的高度至第N臺(tái)階承載面的高度依次遞增,第一臺(tái)階承載面底部的第二延展面的高度至第N臺(tái)階承載面底部的第二延展面的高度依次遞增,N為大于或等于2的整數(shù),k為大于或等于1且小于或等于N-1的整數(shù)。
10.一種半導(dǎo)體激光器系統(tǒng),其特征在于,包括:
權(quán)利要求1至8任意一項(xiàng)所述的熱沉;
若干激光器芯片,分別位于第一臺(tái)階承載面至第N臺(tái)階承載面上。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于蘇州長光華芯光電技術(shù)股份有限公司;蘇州長光華芯半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院有限公司,未經(jīng)蘇州長光華芯光電技術(shù)股份有限公司;蘇州長光華芯半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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