[發明專利]顯示裝置和制造該顯示裝置的方法

在審

• 申請號: 202110383406.2
• 申請日: 2021-04-09
• 公開（公告）號: CN113514992A
• 公開（公告）日: 2021-10-19
• 發明（設計）人: 白炅旼;申鉉億;李周炫
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;H01L27/32
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 周丹;樸圣潔

提供了顯示裝置和制造該顯示裝置的方法。顯示裝置包括基礎層，設置在基礎層上且包括薄膜晶體管的像素以及連接到像素的信號線。信號線包括金屬層和設置在金屬層上的包括鉬和鉭的封蓋層。金屬層具有第一光反射率，且封蓋層具有比金屬層的第一光反射率低的第二光反射率。封蓋層包括從金屬層的側壁突出的尖端，并且當在平面圖中時，該尖端比金屬層的側壁與基礎層接觸處的接觸點突出更多。該顯示裝置具有改善的外部光反射特性和提高的顯示質量。

相關申請的交叉引用

此專利申請要求于2020年4月10日提交的韓國專利申請號10-2020-0044288的優先權，其公開內容通過引用整體在此并入。

技術領域

本公開涉及顯示裝置及其制造方法。更具體地，本公開涉及能夠賦予低光學反射特性的顯示裝置和制造該顯示裝置的方法。

背景技術

顯示裝置包括信號線和連接到信號線以顯示圖像的電子元件。信號線和電子元件通過導電層形成。通過包括在導電層中的金屬材料反射的外部光，包括金屬材料的導電層對用戶是可見的。由于外部光的反射，信號線或電子元件可能對顯示裝置所顯示的圖像的可見性施加影響。

發明內容

本公開提供了能夠保持低反射特性的顯示裝置。

本公開也提供了制造顯示裝置的方法。

根據一個實施方式，顯示裝置包括基礎層；設置在基礎層上且包括薄膜晶體管的像素；以及連接到像素的信號線。信號線包括具有第一光反射率的金屬層和設置在的金屬層上的封蓋層，該封蓋層包括鉬和鉭并且具有低于金屬層的第一光反射率的第二光反射率。封蓋層包括從金屬層的側壁突出的尖端，并且當在平面圖中時，該尖端比金屬層的側壁與基礎層接觸處的接觸點突出更多。

當尖端的長度d可滿足d≥h/(tan(90°-θ_α))+h/(tan(θ_β))的條件時，其中h表示金屬層的第一厚度，θ_α表示顯示裝置的最外視角，并且θ_β表示金屬層的錐角。

長度d可等于或大于約4000埃且等于或小于約6000埃。

h可等于或大于約5000埃且等于或小于約10000埃。

封蓋層中鉬與鉭的含量比可為約80:20至約97:3。

封蓋層可在等于或大于約400nm且等于或小于約800nm的波長范圍內具有等于或小于約20％的平均光反射率，且封蓋層可具有等于或大于約500埃且等于或小于約1500埃的第二厚度。

封蓋層可包括鉬氧化物(MoO₂)和鉭氧化物(TaO)。

金屬層可包括包含第一金屬材料的第一金屬層和包含第二金屬材料的第二金屬層，并且第一金屬層和第二金屬層可按順序堆疊。

第一金屬層包括難熔金屬，該難熔金屬包括鈮(Nb)、釩(V)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、鉬(Mo)、錸(Re)或鎢(W)中的至少一種，并且第二金屬層可包括銅(Cu)、銀(Ag)、鋁(Al)或其合金。

金屬層可包括包含金屬材料的金屬層主體和設置在金屬層主體的側面上的金屬氧化物層。金屬氧化物層可對應于金屬層的側壁。

金屬氧化物層可包括鈦氧化物或銅氧化物。

金屬氧化物層可包括第一金屬氧化物層和第二金屬氧化物層，該第一金屬氧化物層包括第一金屬材料的第一氧化物并設置在第一金屬層的第一側面上，該第二金屬氧化物層包括第二金屬材料的第二氧化物并設置在第二金屬層的第二側面上。

封蓋層可與金屬層接觸。