[發(fā)明專利]一種RBDT器件的觸發(fā)電路及其在脈沖發(fā)生器的應用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110383181.0
• 申請日: 2021-04-09
• 公開（公告）號: CN113098317B
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發(fā)明（設計）人: 梁琳;黃鑫遠
• 申請（專利權）人: 華中科技大學
• 主分類號: H02M9/04
• 分類號: H02M9/04;H02M3/28;H03K3/02
• 代理公司: 武漢華之喻知識產(chǎn)權代理有限公司 42267
• 代理人: 鄧彥彥;廖盈春

1.一種RBDT器件的觸發(fā)電路，其特征在于，包括：直流電源、開關管、原邊儲能電容、可飽和變壓器、副邊儲能電容、漂移階躍恢復二極管(DSRD)；所述可飽和變壓器包括原邊繞組、副邊繞組以及磁芯；

所述觸發(fā)電路用于對反向阻斷雙端固態(tài)閘流管(RBDT)進行觸發(fā)，所述反向阻斷雙端固態(tài)閘流管(RBDT)所在的反向阻斷雙端固態(tài)閘流管(RBDT)支路與所述漂移階躍恢復二極管(DSRD)反向并聯(lián)；

所述直流電源的正極分別連接原邊儲能電容的一端和開關管的一端；原邊儲能電容的另一端連接原邊繞組的一端，原邊繞組的另一端、開關管的另一端以及直流電源的負極共同接地；副邊繞組的一端連接副邊儲能電容的一端，副邊儲能電容的另一端分別連接漂移階躍恢復二極管(DSRD)的一端和反向阻斷雙端固態(tài)閘流管(RBDT)支路的一端，副邊繞組的另一端、漂移階躍恢復二極管(DSRD)的另一端以及反向阻斷雙端固態(tài)閘流管(RBDT)支路的另一端共同接地；

初始時刻，開關管和反向阻斷雙端固態(tài)閘流管(RBDT)處于阻斷狀態(tài)，直流電源給原邊儲能電容充電；充電完成后，將開關管開通，原邊儲能電容通過原邊繞組和開關管所在回路放電，并經(jīng)過可飽和變壓器變壓后通過副邊繞組、副邊儲能電容以及漂移階躍恢復二極管(DSRD)所在回路給副邊儲能電容充電，此時漂移階躍恢復二極管(DSRD)正向?qū)ǎ?/p>

通過設置可飽和變壓器參數(shù)，使得原邊儲能電容放電完畢后，副邊儲能電容的電壓達到最大值，可飽和變壓器的磁芯飽和，此時副邊儲能電容通過副邊繞組和漂移階躍恢復二極管(DSRD)所在回路放電，漂移階躍恢復二極管(DSRD)反向?qū)ǎ齐A躍恢復二極管(DSRD)內(nèi)部等離子體抽取完畢后，流過漂移階躍恢復二極管(DSRD)的電流被截斷，并通過反向阻斷雙端固態(tài)閘流管(RBDT)支路將流向漂移階躍恢復二極管(DSRD)的電流轉(zhuǎn)移到反向阻斷雙端固態(tài)閘流管(RBDT)上，在反向阻斷雙端固態(tài)閘流管(RBDT)上產(chǎn)生觸發(fā)脈沖，當反向阻斷雙端固態(tài)閘流管(RBDT)兩端的電壓大于其阻斷電壓后，反向阻斷雙端固態(tài)閘流管(RBDT)導通。

2.根據(jù)權利要求1所述的觸發(fā)電路，其特征在于，還包括：限流電阻；

所述限流電阻的一端連接直流電源的正極，另一端連接原邊儲能電容的一端。

3.根據(jù)權利要求1所述的觸發(fā)電路，其特征在于，還包括：第一二極管和耗能電阻；

所述第一二極管的陰極連接原邊儲能電容靠近直流電源正極側(cè)的一端，第一二極管的陽極連接耗能電阻的一端，耗能電阻的另一端連接原邊儲能電容的另一端；或所述耗能電阻的一端連接原邊儲能電容靠近直流電源正極側(cè)的一端，耗能電阻的另一端連接第一二極管的陰極，第一二極管的陽極連接原邊儲能電容的另一端。

4.根據(jù)權利要求1所述的觸發(fā)電路，其特征在于，還包括：原邊電感；

所述原邊電感串聯(lián)在原邊儲能電容和原邊繞組的一端之間。

5.根據(jù)權利要求4所述的觸發(fā)電路，其特征在于，所述原邊繞組和副邊繞組均繞制在所述磁芯上；

所述通過設置可飽和變壓器參數(shù)，使得原邊儲能電容放電完畢后，副邊儲能電容的電壓達到最大值，可飽和變壓器的磁芯飽和，具體為：

通過設計合適的磁芯截面積，使得原邊儲能電容放電完畢后，副邊儲能電容的電壓達到最大值，可飽和變壓器的磁芯飽和；或

當磁芯截面積大于或小于設計值時，調(diào)整所述原邊電感的電感值使得原邊儲能電容放電完畢后，副邊儲能電容的電壓達到最大值，可飽和變壓器的磁芯飽和。