[發明專利]導電結構電性缺陷分析方法、電性參數分析方法及系統有效
| 申請號： | 202110383142.0 | 申請日： | 2021-04-09 |
| 公開（公告）號： | CN113109647B | 公開（公告）日： | 2022-04-29 |
| 發明（設計）人： | 金若蘭;洪玟基 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/00 | 分類號： | G01R31/00;G01R27/02;G01R27/26 |
| 代理公司： | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人： | 王輝;闞梓瑄 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 導電 結構 缺陷 分析 方法 參數 系統 | ||
1.一種導電結構電性參數分析方法，其特征在于，包括：
根據預設的圖形化工藝步驟形成間隔排布的線形導電結構，所述導電結構由多個線形前序圖形結構形成，各所述前序圖形結構分別對應不同的圖形化工藝；
獲取任一所述前序圖形結構的圖案化參數，所述圖案化參數包括所述前序圖形結構的寬度、相鄰兩個所述前序圖形結構的間距及線寬粗糙度；
根據各所述前序圖形結構的寬度的均值及線寬粗糙度計算各所述前序圖形結構中寬度最小的前序圖形結構的寬度值；
根據寬度最小的前序圖形結構的寬度值及各所述前序圖形結構的寬度的均值計算所述前序圖形結構的寬度占比；
根據所述前序圖形結構的寬度占比計算所述導電結構的電阻變化值；
根據各所述前序圖形結構中相鄰兩個所述前序圖形結構的間距的均值及線寬粗糙度計算各所述前序圖形結構中相鄰兩個所述前序圖形結構的最大間距；
根據所述最大間距及各所述前序圖形結構中相鄰兩個所述前序圖形結構的間距的均值計算所述前序圖形結構的間距占比；
根據所述前序圖形結構的間距占比計算所述導電結構的電容變化值；
根據所述電阻變化值和所述電容變化值計算所述前序圖形結構的圖案化參數對所述導電結構的導電速率變化值；
對每一道所述圖形化工藝后形成的所述前序圖形結構的所述導電速率變化值進行計算；
篩選出對所述導電結構的導電速率變化值影響最大的所述圖形化工藝。
2.根據權利要求1所述的分析方法，其特征在于，所述根據所述電阻變化值和所述電容變化值計算所述前序圖形結構的圖案化參數對所述導電結構的導電速率變化值包括：
通過第一公式計算所述導電速率變化值，所述第一公式為：
Vdelay＝[1-(1-Rincrease)×(1-Cincrease)]×100
其中，Vdelay為導電速率變化值，Rincrease為電阻變化值，Cincrease為電容變化值。
3.根據權利要求1所述的分析方法，其特征在于，所述根據所述前序圖形結構的寬度占比計算所述導電結構的電阻變化值，包括：
通過第二公式計算所述電阻變化值，所述第二公式為：
Rincrease＝(CDbarratio-1)×100
其中，Rincrease為電阻變化值，CDbarratio為前序圖形結構的寬度占比。
4.根據權利要求1所述的分析方法，其特征在于，所述根據所述前序圖形結構的間距占比計算所述導電結構的電容變化值，包括：
通過第三公式計算所述電容變化值，所述第三公式為：
Cincrease＝(CDspaceratio-1)×100
其中，Cincrease為電容變化值，CDspaceratio為前序圖形結構的間距占比。
5.根據權利要求4所述的分析方法，其特征在于，所述根據各所述前序圖形結構的寬度的均值及線寬粗糙度計算各所述前序圖形結構中寬度最小的前序圖形結構的寬度值，包括：
根據第四公式計算各所述前序圖形結構中寬度最小的前序圖形結構的寬度值，所述第四公式為：
其中，CDbarmin為最小的前序圖形結構的寬度值，CDbar為前序圖形結構的寬度的均值，R為線寬粗糙度。
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