[發(fā)明專利]半導(dǎo)體生產(chǎn)裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110382874.8
• 申請日: 2021-04-09
• 公開（公告）號: CN113130354A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳子見
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438
• 代理人: 王輝;闞梓瑄

1.一種半導(dǎo)體生產(chǎn)裝置，其特征在于，包括：

面板，包括多個(gè)第一通孔，被配置為通過所述多個(gè)第一通孔將工藝氣體均勻地分布在晶圓上；

加熱器，設(shè)于所述面板的一側(cè)，用于對所述面板進(jìn)行加熱。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體生產(chǎn)裝置，其特征在于，所述加熱器在所述面板上的正投影位于所述面板的邊緣區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體生產(chǎn)裝置，其特征在于，所述加熱器呈環(huán)狀。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體生產(chǎn)裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體生產(chǎn)裝置還包括：

氣箱，設(shè)于所述面板的一側(cè)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體生產(chǎn)裝置，其特征在于，所述加熱器設(shè)于所述氣箱背離所述面板的一側(cè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體生產(chǎn)裝置，其特征在于，所述氣箱包括：

氣箱本體；

固定部，設(shè)于所述氣箱本體上，朝向所述氣箱本體的外圍延伸。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體生產(chǎn)裝置，其特征在于，所述加熱器設(shè)于所述固定部上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體生產(chǎn)裝置，其特征在于，所述加熱器在所述氣箱上的正投影位于所述固定部中。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體生產(chǎn)裝置，其特征在于，所述裝置還包括：

阻隔板，位于所述氣箱與所述面板之間，所述阻隔板上形成有多個(gè)第二通孔，用于對工藝氣體導(dǎo)入所述面板前進(jìn)行混合。

10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體生產(chǎn)裝置，其特征在于，所述裝置還包括：

夾緊件，所述夾緊件設(shè)于所述加熱器背離所述面板的一側(cè)，與所述氣箱配合形成對所述加熱器的固定。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體生產(chǎn)裝置，其特征在于，所述裝置還包括：

控制器，與所述加熱器連接，用于控制所述加熱器將所述面板加熱至目標(biāo)溫度。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體生產(chǎn)裝置，其特征在于，所述加熱器包括：

加熱絲，與所述控制器連接；

絕緣層，包覆于所述加熱絲上。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體生產(chǎn)裝置，其特征在于，所述目標(biāo)溫度為0-300℃。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體生產(chǎn)裝置，其特征在于，所述面板包括：

孔板部，形成有多個(gè)所述第一通孔；

側(cè)壁部，形成在所述孔板的邊緣位置上，所述側(cè)壁部與所述孔板部圍合形成具有一敞開端的腔體；

延伸部，形成在側(cè)壁部上，且朝向所述側(cè)壁的外圍延伸。