[發明專利]一種基于高縱橫比波導的二維材料電光調制器在審
| 申請號： | 202110382361.7 | 申請日： | 2021-04-09 |
| 公開（公告）號： | CN113093408A | 公開（公告）日： | 2021-07-09 |
| 發明（設計）人： | 王俊嘉;繆庭;孫小菡;董納;樊鶴紅;柏寧豐;劉旭;沈長圣 | 申請（專利權）人： | 東南大學 |
| 主分類號： | G02F1/025 | 分類號： | G02F1/025 |
| 代理公司： | 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 吳旭 |
| 地址： | 211189 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 縱橫 波導 二維 材料 電光 調制器 | ||
1.一種基于高縱橫比波導的二維材料電光調制器，其特征在于，包括襯底層(1)、硅光波導(2)、電介質填充層(3)、第一二維材料層(4)、第二二維材料層(5)、第一金屬層(6)、第二金屬層(7)；
所述硅光波導(2)結構掩埋在襯底層(1)上，硅光波導(2)為高縱橫比波導結構；在所述硅光波導(2)及襯底層上覆蓋第一二維材料層(4)，所述電介質填充層(3)沉積在所述第一二維材料層(4)上，在所述電介質填充層(3)上覆蓋第二二維材料層(5)，所述第一二維材料層(4)與第二二維材料層(5)僅在所述硅光波導(2)上方重疊，所述第一金屬層(6)與第二金屬層(7)分別沉積在所述第一二維材料層(4)上方靠右側和所述第二二維材料層(5)上方靠左側，在所述第二二維材料層(5)上繼續沉積電介質，并與所述電介質填充層(3)形成整體結構。
2.根據權利要求1所述的基于高縱橫比波導的二維材料電光調制器，其特征在于，所述第一二維材料層(4)和第二二維材料層(5)采用的二維平面材料為石墨烯或過渡金屬硫化物。
3.根據權利要求1所述的基于高縱橫比波導的二維材料電光調制器，其特征在于，位于所述第一二維材料層(4)和第二二維材料層(5)中間的所述電介質填充層(3)部分的厚度小于等于10nm，材料為氧化鉿或氧化鋁。
4.根據權利要求1所述的基于高縱橫比波導的二維材料電光調制器，其特征在于，所述硅光波導(2)滿足單模工作條件，縱橫比10:1；所述硅光波導(2)滿足截止條件，波導中的傳播模式截止。
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