[發明專利]一種通過BSD后洗凈降低重金屬及霧狀缺陷的方法有效
| 申請號: | 202110382203.1 | 申請日: | 2021-04-09 |
| 公開(公告)號: | CN113257659B | 公開(公告)日: | 2022-09-23 |
| 發明(設計)人: | 盧運增;賀賢漢;洪漪;胡久林 | 申請(專利權)人: | 上海中欣晶圓半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;B08B3/04 |
| 代理公司: | 上海申浩律師事務所 31280 | 代理人: | 陸葉 |
| 地址: | 200444 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 通過 bsd 洗凈 降低 重金屬 霧狀 缺陷 方法 | ||
1.一種通過BSD后洗凈降低重金屬及霧狀缺陷的方法,其特征在于,在BSD工序后,采用如下步驟進行清洗,
步驟一,使用預清洗液進行預清洗,預清洗液包括氨水、雙氧水以及去離子水,所述氨水、雙氧水以及去離子水的體積比為2:2:11;
氨水的質量百分比濃度為28%-31%,雙氧水的質量百分比濃度為30%-32%;
步驟二,蒸餾水清洗;
步驟三,一次清洗液浸泡清洗,所述一次清洗液包括氫氟酸、檸檬酸以及去離子水;氫氟酸、檸檬酸以及去離子水的體積比為15:3~5:55~57;
氫氟酸質量百分比濃度為48%-50%,檸檬酸的質量百分比濃度為49%-51%;
步驟四,二次清洗液浸泡清洗,所述二次清洗液包括鹽酸、雙氧水以及去離子水,鹽酸以及雙氧水的比例為1:1,鹽酸、雙氧水以及去離子水的體積比為6~9:6~9:57-63;
鹽酸的質量百分比濃度為36%-38%;
步驟五,蒸餾水清洗;
步驟六,采用硅片甩干機甩干;
BSD工序的噴砂磨料為金鋼砂,噴砂的空氣壓力1.5±0.1Kg/cm3,噴砂片距即噴嘴距硅片215±15mm,噴砂時間控制在6-8秒/片,硅片輸送帶的帶速為1.2±0.1m/min;
重金屬缺陷的檢測方法對硅片進行高溫退火后,采用ICP-MS進行檢測,獲得硅片表面的金屬Ni以及Cu的含量;
高溫退火的方法為硅片從800℃開始,以5℃/min加溫至1100℃,1100℃恒溫10min后,以2℃/min降溫至800℃;
高溫退火過程中,以18L/min的流量輸送氮氣。
2.根據權利要求1所述的一種通過BSD后洗凈降低重金屬及霧狀缺陷的方法,其特征在于:步驟二以及步驟五蒸餾水中氮氣鼓泡。
3.根據權利要求1所述的一種通過BSD后洗凈降低重金屬及霧狀缺陷的方法,其特征在于:步驟一中,氨水的質量百分比濃度為29%,雙氧水的質量百分比濃度為31%。
4.根據權利要求1所述的一種通過BSD后洗凈降低重金屬及霧狀缺陷的方法,其特征在于:步驟三中,氫氟酸質量百分比濃度為49%,檸檬酸的質量百分比濃度為50%。
5.根據權利要求4所述的一種通過BSD后洗凈降低重金屬及霧狀缺陷的方法,其特征在于:步驟三中,氫氟酸的體積為15L,檸檬酸的體積為4L,一次清洗液的總體積為75L。
6.根據權利要求1所述的一種通過BSD后洗凈降低重金屬及霧狀缺陷的方法,其特征在于:步驟四中,鹽酸的質量百分比濃度為37%,雙氧水的質量百分比濃度為31%。
7.根據權利要求6所述的一種通過BSD后洗凈降低重金屬及霧狀缺陷的方法,其特征在于:步驟四中,鹽酸的體積為7.5L,雙氧水的體積為7.5L,二次清洗液的總體積為75L。
8.根據權利要求1所述的一種通過BSD后洗凈降低重金屬及霧狀缺陷的方法,其特征在于:步驟三中,氫氟酸質量百分比濃度為49%,檸檬酸的質量百分比濃度為50%;氫氟酸的體積為15L,檸檬酸的體積為3-5L,一次清洗液的總體積為75L;
步驟四中,鹽酸的質量百分比濃度為37%,雙氧水的質量百分比濃度為31%;
鹽酸的體積為7.5L,雙氧水的體積為7.5L,二次清洗液的總體積為75L。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





