[發(fā)明專利]溝槽MOSFET及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110381679.3
• 申請日: 2021-04-09
• 公開（公告）號: CN113206148B
• 公開（公告）日: 2023-05-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王加坤;孫鶴
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州芯邁半導體技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 丁俊萍

1.一種溝槽MOSFET，其特征在于，包括：

第一摻雜類型的半導體基底；

從所述半導體基底的上表面延伸至其內(nèi)部的溝槽；

位于所述溝槽內(nèi)部的第一絕緣層和屏蔽導體，所述第一絕緣層位于所述溝槽的下部側(cè)壁和底部，且將所述屏蔽導體和所述半導體基底隔開；

位于所述溝槽上部的柵極導體和柵介質(zhì)層，所述柵介質(zhì)層位于所述溝槽的上部側(cè)壁，且將所述柵極導體和所述半導體基底隔開；以及

與所述柵極導體連接的柵極導電通道；

其中，與所述柵極導電通道連接的所述柵極導體的位置的厚度滿足通孔的工藝需求，不會被穿通；

其中，當所述柵極導體在所述溝槽MOSFET的垂直方向上具有不同的厚度，所述柵極導電通道延伸至所述柵極導體厚度較厚的部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽MOSFET，其特征在于，一個溝槽中的柵極導體對應(yīng)一個或兩個柵極導電通道。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽MOSFET，其特征在于，所述柵極導體至少位于所述第一絕緣層的上表面上。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的溝槽MOSFET，其特征在于，所述柵極導體和所述屏蔽導體之間通過第二絕緣層隔離，所述第二絕緣層通過氧化部分所述屏蔽導體形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的溝槽MOSFET，其特征在于，所述屏蔽導體的上表面低于所述柵極導體的下表面。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的溝槽MOSFET，其特征在于，所述屏蔽導體的上表面不低于所述柵極導體的下表面。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的溝槽MOSFET，其特征在于，所述柵極導體呈倒立的“凹”字形狀，所述柵極導體位于所述屏蔽導體上的部分的厚度小于其位于所述第一絕緣層上的部分的厚度。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的溝槽MOSFET，其特征在于，所述柵極導體包括相互分離的第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分之間通過所述第二絕緣層隔開。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的溝槽MOSFET，其特征在于，所述柵極導體包括相互分離的第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分分別位于所述屏蔽導體的兩側(cè)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的溝槽MOSFET，其特征在于，所述屏蔽導體位于所述柵極導體之間的上段的寬度小于所述屏蔽導體下段的寬度。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽MOSFET，其特征在于，所述屏蔽導體為多晶硅材料。

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的溝槽MOSFET，其特征在于，當所述柵極導電通道的個數(shù)為一個時，一個所述柵極導電通道與所述柵極導體任一較厚的部分接觸。

13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的溝槽MOSFET，其特征在于，當所述柵極導電通道的個數(shù)為兩個時，兩個所述柵極導電通道分別與兩個所述柵極導體較厚的部分接觸。

14.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的溝槽MOSFET，其特征在于，所述柵極導電通道的個數(shù)為兩個，兩個所述柵極導電通道分別與所述第一部分和所述第二部分接觸。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽MOSFET，其特征在于，還包括：

位于所述半導體基底上表面的層間介質(zhì)層，

位于所述層間介質(zhì)層上的柵極金屬電極和源極金屬電極，以及

位于所述半導體基底下表面的漏極電極，

其中，所述柵極金屬電極和所述源極金屬電極隔開。