[發(fā)明專利]一種金屬凸塊結構及制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110381027.X | 申請日: | 2021-04-09 |
| 公開(公告)號: | CN113113383A | 公開(公告)日: | 2021-07-13 |
| 發(fā)明(設計)人: | 陳浩 | 申請(專利權)人: | 頎中科技(蘇州)有限公司;合肥頎中封測技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/498 | 分類號: | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司: | 蘇州威世朋知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 胡彭年 |
| 地址: | 215000 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 金屬 結構 制造 方法 | ||
1.一種金屬凸塊結構,其特征在于,包括:
裸芯片,具有基板和設置在所述基板上表面的焊盤、鈍化層,所述焊盤自所述鈍化層上的鈍化層開口向外暴露;
金屬化層,至少覆蓋在所述金屬焊盤的上表面并完全覆蓋所述鈍化層開口;
金屬凸塊,成型在所述金屬化層的上表面并具有位于所述鈍化層開口的底部。
2.根據(jù)權利要求1所述的金屬凸塊結構,其特征在于,部分所述金屬化層覆蓋在所述鈍化層的上表面,且僅部分位于鈍化層開口內的金屬化層的上表面形成有金屬凸塊。
3.根據(jù)權利要求1所述的金屬凸塊結構,其特征在于,位于所述金屬凸塊之外的金屬化層向外暴露。
4.根據(jù)權利要求1所述的金屬凸塊結構,其特征在于,所述金屬凸塊橫截面的尺寸小于所述鈍化層開口的尺寸。
5.根據(jù)權利要求1所述的金屬凸塊結構,其特征在于,所述金屬凸塊包括第一電鍍層和成型在第一電鍍層之上的第二電鍍層;所述第一電鍍層采用金屬銅、鎳、金的一種或多種;所述第二電鍍層采用金屬錫、銀、鉛的一種或多種。
6.一種如權利要求1至5所述的金屬凸塊結構的制造方法,其特征在于,包括如下步驟:
提供基板,基板的上表面形成有焊盤和鈍化層,所述焊盤自鈍化層上的鈍化層開口向外暴露;
在鈍化層的上表面及焊盤的上表面覆蓋金屬化層;
在金屬化層的上表面成型第一光阻層,去除目標位置的第一光阻層以形成窗格并在窗格內成型金屬凸塊;
去除剩余第一光阻層后在所述金屬化層的上表面形成第二光阻層;
去除預設位置之外的金屬化層之上的第二光阻層,以使預設位置之外的金屬化層向外暴露;
在去除預設位置之外的金屬化層后去除剩余第二光阻層。
7.根據(jù)權利要求6所述的金屬凸塊結構的制造方法,其特征在于,所述預設位置至少覆蓋金屬凸塊之外的鈍化層開口。
8.根據(jù)權利要求6所述的金屬凸塊結構的制造方法,其特征在于,所述窗格的尺寸小于鈍化層開口的尺寸。
9.根據(jù)權利要求8所述的金屬凸塊結構的制造方法,其特征在于,所述窗格設置在所述鈍化層開口的中心位置。
10.根據(jù)權利要求5所述的金屬凸塊結構的制造方法,其特征在于,“保留預設位置處的金屬化層之上的第二光阻層,以使預設位置之外的金屬化層向外暴露”包括如下步驟:
透過光罩對第二光阻層進行曝光,其中,預設位置之外的區(qū)域被光罩上不透光區(qū)域所覆蓋;
采用顯影液進行顯影,使預設位置之外的未經(jīng)曝光的光刻膠即被顯影液去除。
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