[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其形成方法和模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110380769.0
• 申請日: 2021-04-09
• 公開（公告）號: CN113809013A
• 公開（公告）日: 2021-12-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊松鑫;鄭宗期;蕭茹雄
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L27/092;H01L27/146
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：

提供工件，所述工件包括在所述工件的第一區(qū)域及第二區(qū)域上方沿第一方向延伸的多個(gè)鰭結(jié)構(gòu)；

形成穿過所述第一區(qū)域中的所述多個(gè)鰭結(jié)構(gòu)的第一鰭切割溝槽；

形成穿過所述第二區(qū)域中的所述多個(gè)鰭結(jié)構(gòu)的第二鰭切割溝槽；

分別在所述第一鰭切割溝槽及所述第二鰭切割溝槽中沉積介電材料以形成第一隔離部件及第二隔離部件；以及

直接在所述第一隔離部件上方形成第一隔離柵極結(jié)構(gòu)且直接在所述第二隔離部件上方形成第二隔離柵極結(jié)構(gòu)，

其中，所述第一鰭切割溝槽包含沿所述第一方向的第一寬度且所述第二鰭切割溝槽包含沿所述第一方向的第二寬度，

其中，所述第二寬度與所述第一寬度的比率在3與30之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一鰭切割溝槽及所述第二鰭切割溝槽沿垂直于所述第一方向的第二方向縱向地延伸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括:

在所述第一區(qū)域中的所述多個(gè)鰭結(jié)構(gòu)上方形成第一柵極結(jié)構(gòu)；以及

在所述第二區(qū)域中的所述多個(gè)鰭結(jié)構(gòu)上方形成第二柵極結(jié)構(gòu)，

其中，所述第一柵極結(jié)構(gòu)包含第三寬度，

其中，所述第二柵極結(jié)構(gòu)包含第四寬度，

其中，所述第四寬度與所述第三寬度的比率在約15與約400之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中，所述第一鰭切割溝槽包含第一深度，

其中，所述第二鰭切割溝槽包含第二深度，

其中，所述第一深度基本上等于所述第二深度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述第一隔離柵極結(jié)構(gòu)及所述第二隔離柵極結(jié)構(gòu)包括：

在所述第一隔離部件上方形成第一偽柵極堆疊件；

在所述第二隔離部件上方形成第二偽柵極堆疊件；

將所述第一偽柵極堆疊件替換為第一隔離柵極結(jié)構(gòu)；以及

將所述第二偽柵極堆疊件替換為第二隔離柵極結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述第一鰭切割溝槽包括：

在所述工件上方沉積材料層，

在所述材料層上方沉積第一光刻膠層，

使用第一輻射源暴露所述第一光刻膠層，

顯影所述暴露的第一光刻膠層以形成第一光刻膠圖案；以及

使用所述第一光刻膠圖案作為蝕刻掩模，蝕刻所述第一區(qū)域中的所述材料層及所述多個(gè)鰭結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，

其中，形成所述第二鰭切割溝槽包括：

在所述材料層上方沉積第二光刻膠層，

使用第二輻射源暴露所述第二光刻膠層，

顯影暴露的第二光刻膠層以形成第二光刻膠圖案，以及

使用所述第二光刻膠圖案作為蝕刻掩模，蝕刻所述第二區(qū)域中的所述材料層及所述多個(gè)鰭結(jié)構(gòu)。

其中，所述第一輻射源的波長小于所述第二輻射源的波長。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述第一光刻膠層的組分不同于所述第二光刻膠層的組分。