[發明專利]硅基紅外探測器芯片背面減薄方法及硅基紅外探測器芯片

有效

• 申請號: 202110380310.0
• 申請日: 2021-04-09
• 公開（公告）號: CN113270518B
• 公開（公告）日: 2023-08-15
• 發明（設計）人: 程雨;劉海龍;王成剛
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十一研究所
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/101
• 代理公司: 工業和信息化部電子專利中心 11010
• 代理人: 張然

1.一種硅基紅外探測器芯片背面減薄方法，其特征在于，包括：

沿焦平面陣列本體的四周涂抹光刻膠，以遮擋所述焦平面陣列本體的四周與讀出電路板所形成的縫隙；

對所述焦平面陣列本體的襯底進行背面減薄相關工藝；

去除所述光刻膠；

所述去除所述光刻膠，包括：

將完成背面減薄相關工藝的硅基紅外探測器芯片放置在盛有丙酮溶液的培養皿內浸泡第三預設時間段；

在50倍體式顯微鏡視野內，采用干凈軟毛筆在丙酮溶液中輕輕劃動光刻膠；

繼續浸泡第四預設時間段后取出硅基紅外探測器芯片，并用氮氣槍吹干；

所述沿焦平面陣列本體的四周涂抹光刻膠，包括：

用膠管將光刻膠滴在干凈的陶瓷板上，并在室溫和氮氣氛圍下靜置第一預設時間段；

采用無水乙醇棉球清潔銦凸點縫隙間不填充膠水且待背面減薄的硅基紅外探測器芯片；

采用干凈軟毛筆蘸取所述光刻膠，沿同一方向涂抹所述焦平面陣列本體的四周，并保證在金相顯微鏡100倍放大倍數下觀察所述光刻膠沒有氣泡，若存在氣泡，則沿所述焦平面陣列本體的四周二次涂抹光刻膠，同時保證所述焦平面陣列與所述讀出電路接觸的四周均有光刻膠涂抹；將涂抹光刻膠后的硅基紅外探測器芯片放置在室溫和氮氣氛圍下靜置第二預設時間段。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻膠的粘稠度為45～60cps；

所述第一預設時間段為0.5～1h；

所述干凈軟毛筆的筆頭直徑低于4mm；

所述第二預設時間段大于12h。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述焦平面陣列本體的襯底進行背面減薄相關工藝，包括：

按照常規硅材料減薄和常規紅外探測器芯片襯底減薄工藝進行保護電路焊盤、粘接芯片、減薄處理、取片以及清潔粘接劑。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三預設時間段為15～20mins；

所述第四預設時間段為15～20mins。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述光刻膠，還包括：

依次用丙酮槍、無水乙醇槍噴洗用氮氣槍吹干后的硅基紅外探測器芯片。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述用丙酮槍噴洗用氮氣槍吹干后的硅基紅外探測器芯片，包括：

用壓力為3kg的丙酮槍距離硅基紅外探測器芯片5～8cm處，以40～60度角噴洗硅基紅外探測器芯片5～10mins；

用壓力為3kg的無水乙醇槍距離硅基紅外探測器芯片5～8cm處，以40～60度角對硅基紅外探測器芯片進行噴洗，噴洗3～5mins。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述去除所述光刻膠，還包括：

在金相顯微鏡100倍放大倍數下觀察硅基紅外探測器芯片是否存留光刻膠。

8.一種硅基紅外探測器芯片，其特征在于，所述硅基紅外探測器芯片采用如權利要求1-7中任一項所述的方法處理獲得。