[發明專利]具有諧振腔的發光二極管結構及其制造方法有效
| 申請號： | 202110380291.1 | 申請日： | 2021-04-08 |
| 公開（公告）號： | CN113193091B | 公開（公告）日： | 2022-05-31 |
| 發明（設計）人： | 莊永漳 | 申請（專利權）人： | 鐳昱光電科技（蘇州）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/46 | 分類號： | H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王鋒 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 諧振腔 發光二極管 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種發光二極管結構，其特征在于，所述發光二極管結構包括：
基板，所述基板中形成有驅動電路；
多個LED單元，多個所述LED單元在所述基板上形成并以陣列布置，所述LED單元通過所述驅動電路可單獨被驅動；
第一反射器層，所述第一反射器層在所述基板和所述LED單元之間形成；以及
第二反射器層，所述第二反射器層在所述LED單元上形成，所述第二反射器層是分布式布拉格反射器，
其中，所述LED單元的公共陽極層在所述第一反射器層上形成；并且
所述第一反射器層、所述LED單元和所述第二反射器層被配置成共同提供諧振腔；
所述第一反射器層的第一反射率大于所述第二反射器層的第二反射率，所述LED單元發出的光從所述第二反射器層射出所述發光二極管結構。
2.根據權利要求1所述的發光二極管結構，其特征在于，所述分布式布拉格反射器包括多個TiO2/SiO2層或多個SiO2/HfO2層。
3.根據權利要求1所述的發光二極管結構，其特征在于，所述LED單元包括：
第一摻雜型半導體層，所述第一摻雜型半導體層在所述第一反射器層上形成；
多量子阱層，所述多量子阱層在所述第一摻雜型半導體層上形成；和
第二摻雜型半導體層，所述第二摻雜型半導體層在所述多量子阱層上形成，其中，所述第二摻雜型半導體層包括通過離子注入制成的隔離材料，并且所述隔離材料將所述第二摻雜型半導體層劃分為多個LED臺面，
其中，所述隔離材料的第一折射率低于所述LED臺面的第二折射率。
4.根據權利要求3所述的發光二極管結構，其特征在于，所述第一反射器層是第一摻雜型歐姆接觸層。
5.根據權利要求3所述的發光二極管結構，其特征在于，所述LED單元進一步包括：
鈍化層，所述鈍化層在所述第二摻雜型半導體層上形成；和
電極層，所述電極層在所述鈍化層上形成，通過所述鈍化層上的開口接觸所述第二摻雜型半導體層的一部分，
其中，所述LED臺面的孔徑小于所述鈍化層上的所述開口。
6.一種發光二極管結構，其特征在于，所述發光二極管結構包括：
基板，所述基板中形成有驅動電路；
多個LED單元，多個所述LED單元在所述基板上形成并以陣列布置，所述LED單元通過所述驅動電路可單獨被驅動；
第一反射器層，所述第一反射器層在所述基板上形成；
光學腔結構，所述光學腔結構在所述第一反射器層上形成；以及
第二反射器層，所述第二反射器層在所述光學腔結構上形成，所述第二反射器層是分布式布拉格反射器，
其中，所述光學腔結構由被離子注入材料所圍繞的至少一個所述LED單元形成；
所述第一反射器層的第一反射率大于所述第二反射器層的第二反射率，所述LED單元發出的光從所述第二反射器層射出所述發光二極管結構。
7.根據權利要求6所述的發光二極管結構，其特征在于，所述分布式布拉格反射器包括多個TiO2/SiO2層或多個SiO2/HfO2層。
8.根據權利要求6所述的發光二極管結構，其特征在于，所述LED單元包括：
第一摻雜型半導體層，所述第一摻雜型半導體層在所述第一反射器層上形成；
多量子阱層，所述多量子阱層在所述第一摻雜型半導體層上形成；和
第二摻雜型半導體層，所述第二摻雜型半導體層在所述多量子阱層上形成，其中，所述第二摻雜型半導體層包括通過離子注入制成的所述離子注入材料，并且所述離子注入材料將所述第二摻雜型半導體層劃分為多個LED臺面，
其中，所述離子注入材料的第一折射率低于所述LED臺面的第二折射率。
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