[發明專利]用于溝槽場板功率MOSFET的終端

在審

• 申請號: 202110380127.0
• 申請日: 2021-04-08
• 公開（公告）號: CN113540244A
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發明（設計）人: 塔努杰·薩克塞納;維什努·克姆卡;貝恩哈德·格羅特;覃甘明;莫安斯·齊圖尼
• 申請（專利權）人: 恩智浦美國有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/40;H01L29/06
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 紀雯

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底具有相對的第一主表面和第二主表面、有源區域以及終端區域；

絕緣溝槽，所述絕緣溝槽從所述第一主表面朝向所述第二主表面延伸，每一個所述絕緣溝槽包括導電場板和上覆于所述導電場板的柵極電極，所述柵極電極通過柵極-場板絕緣體與所述場板分離，其中所述導電場板在所述有源區域和所述終端區域中均縱向延伸并且所述終端區域中不存在所述柵極電極；

第一導電類型的主體區，所述主體區在所述絕緣溝槽對之間橫向延伸；以及

第二導電類型的第一間隔區和第二間隔區，所述第一間隔區和所述第二間隔區在所述終端區域處在所述絕緣溝槽的所述對之間橫向延伸以在所述第一間隔區與所述第二間隔區之間產生所述第一導電類型的區段，所述區段與所述主體區隔離。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述區段為第一區段，并且所述半導體裝置另外包括在所述終端區域中在所述絕緣溝槽的所述對之間橫向延伸的所述第二導電類型的第三間隔區，所述第三間隔區與所述第二間隔區隔開以在所述第二間隔區與所述第三間隔區之間產生所述第一導電類型的第二區段，所述第二區段與所述第一區段隔離且與所述主體區隔離。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于：

所述第一區段呈現平行于所述絕緣溝槽的縱向尺寸的第一區段寬度；并且

所述第二區段呈現平行于所述絕緣溝槽的所述縱向尺寸的第二區段寬度，所述第二區段寬度不同于所述第一區段寬度。

4.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，所述終端區域環繞所述有源區域，并且所述半導體裝置另外包括環繞所述終端區域的絕緣終端溝槽，其中導電屏蔽板存在于所述終端溝槽中，并且所述第一導電類型的第三區段存在于所述第三間隔區與所述絕緣終端溝槽之間，所述第三區段與所述第一區段和所述第二區段隔離并且與所述主體區隔離。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

所述第一間隔區呈現平行于所述絕緣溝槽的縱向尺寸的第一間隔寬度；并且

所述第二間隔區呈現平行于所述絕緣溝槽的所述縱向尺寸的第二間隔，所述第二間隔寬度不同于所述第一間隔寬度。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

每一個所述絕緣溝槽包括第一末端部分和第二末端部分以及在所述第一末端部分與所述第二末端部分之間縱向延伸的中間部分，其中所述第一間隔區和所述第二間隔區在所述絕緣溝槽的所述對的所述第一末端部分之間橫向延伸；并且

所述半導體裝置另外包括所述第二導電類型的第三間隔區和第四間隔區，所述第三間隔區和所述第四間隔區在所述絕緣溝槽的所述對的所述第二末端部分之間橫向延伸以在所述第三間隔區與所述第四間隔區之間產生所述第一導電類型的額外區段，所述額外區段與所述主體區隔離。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，每一個所述絕緣溝槽中的所述柵極電極的遠側末端限定所述有源區域的外周，其中所述第一間隔區和所述第二間隔區以及所述區段中的至少一個在所述有源區域的所述外周處鄰近所述柵極電極并且通過絕緣體與所述柵極電極分離。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一間隔區和所述第二間隔區以及所述區段中的至少一個在所述終端區域中鄰近所述場板且通過絕緣體與所述場板分離。