[發(fā)明專利]用于閃存的數(shù)據(jù)恢復(fù)方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110380094.X
• 申請日: 2021-04-08
• 公開（公告）號: CN112988453A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李前輝;王頎;楊柳;姜一揚;于曉磊;何菁;霍宗亮;葉甜春
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: G06F11/10
• 分類號: G06F11/10
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 周天宇

1.一種用于閃存的數(shù)據(jù)恢復(fù)方法，包括：

采用預(yù)設(shè)讀電壓從所述閃存中讀取數(shù)據(jù)；

計算所述數(shù)據(jù)對應(yīng)的校驗節(jié)點出錯率；

根據(jù)所述校驗節(jié)點出錯率，計算讀電壓調(diào)整步長；

根據(jù)所述讀電壓調(diào)整步長調(diào)整所述預(yù)設(shè)讀電壓，采用調(diào)整后的預(yù)設(shè)讀電壓從所述閃存中讀取數(shù)據(jù)，并重復(fù)所述計算所述數(shù)據(jù)對應(yīng)的校驗節(jié)點出錯率的操作至所述根據(jù)所述讀電壓調(diào)整步長調(diào)整所述預(yù)設(shè)讀電壓的操作，直至所述校驗節(jié)點出錯率最小；

選擇最小的校驗節(jié)點出錯率對應(yīng)的讀電壓從所述閃存中讀取數(shù)據(jù)，以進(jìn)行數(shù)據(jù)恢復(fù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于閃存的數(shù)據(jù)恢復(fù)方法，所述方法還包括：

判斷當(dāng)前所述校驗節(jié)點出錯率是否小于預(yù)設(shè)閾值；

若是，停止所述根據(jù)所述讀電壓調(diào)整步長調(diào)整所述預(yù)設(shè)讀電壓，采用調(diào)整后的預(yù)設(shè)讀電壓從所述閃存中讀取數(shù)據(jù)的操作，以當(dāng)前讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)據(jù)恢復(fù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于閃存的數(shù)據(jù)恢復(fù)方法，所述方法還包括：

判斷當(dāng)前所述校驗節(jié)點出錯率是否大于上一次所述校驗節(jié)點出錯率，

若是，停止所述根據(jù)所述讀電壓調(diào)整步長調(diào)整所述預(yù)設(shè)讀電壓，采用調(diào)整后的預(yù)設(shè)讀電壓從所述閃存中讀取數(shù)據(jù)的操作，以上一次讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)據(jù)恢復(fù)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的用于閃存的數(shù)據(jù)恢復(fù)方法，其中，所述計算所述數(shù)據(jù)對應(yīng)的校驗節(jié)點出錯率包括：

根據(jù)公式：

R_C＝sum(H·D_k)/m

計算所述校驗節(jié)點出錯率，其中，R_C為所述校驗節(jié)點出錯率，H為奇偶校驗矩陣，D_k為讀出的一個碼字的數(shù)據(jù)，m為校驗節(jié)點的數(shù)量。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的用于閃存的數(shù)據(jù)恢復(fù)方法，其中，所述根據(jù)所述校驗節(jié)點出錯率，計算讀電壓調(diào)整步長包括：

基于所述閃存的閾值電壓分布態(tài)，建立所述校驗節(jié)點出錯率與所述誤碼率的函數(shù)關(guān)系以及所述誤碼率與所述讀電壓調(diào)整步長的函數(shù)關(guān)系；

根據(jù)所述校驗節(jié)點出錯率與所述誤碼率的函數(shù)關(guān)系、所述誤碼率與所述讀電壓調(diào)整步長的函數(shù)關(guān)系，建立所述校驗節(jié)點出錯率與所述讀電壓調(diào)整步長的函數(shù)關(guān)系；

根據(jù)所述校驗節(jié)點出錯率與所述讀電壓調(diào)整步長的函數(shù)關(guān)系，計算所述讀電壓調(diào)整步長。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于閃存的數(shù)據(jù)恢復(fù)方法，其中，所述建立所述校驗節(jié)點出錯率與所述誤碼率的函數(shù)關(guān)系以及所述誤碼率與所述讀電壓調(diào)整步長的函數(shù)關(guān)系包括：

計算所述預(yù)設(shè)讀電壓對應(yīng)的誤碼率，所述計算所述預(yù)設(shè)讀電壓對應(yīng)的誤碼率包括：根據(jù)公式：

計算所述誤碼率，其中，P_e為誤碼率，i為閾值電壓分布態(tài)的序號，為第i個預(yù)設(shè)讀電壓，μ_i為所述閃存的第i個閾值電壓分布態(tài)的均值，μ_i-1為所述閃存的第i-1個閾值電壓分布態(tài)的均值，為均值為0，方差為σ_i-1的閾值電壓分布態(tài)對應(yīng)的高斯分布的分布函數(shù)，為均值為0，方差為σ_i的高斯分布的分布函數(shù)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于閃存的數(shù)據(jù)恢復(fù)方法，其中，所述第i個預(yù)設(shè)讀電壓與第i個最佳讀電壓存在以下關(guān)系：

其中，為第i個最佳讀電壓，為所述第i個預(yù)設(shè)讀電壓與所述第i個最佳讀電壓之間的讀電壓調(diào)整步長；

所述第i個最佳讀電壓通過下式計算：

其中，μ_i為第i個閾值電壓分布態(tài)的均值，σ_i為第i個閾值電壓分布態(tài)的方差，μ_i-1為第i-1個閾值電壓分布態(tài)的均值，σ_i-1為第i-1個閾值電壓分布態(tài)的方差。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于閃存的數(shù)據(jù)恢復(fù)方法，其中，所述方法還包括：

將所述校驗節(jié)點出錯率與所述讀電壓調(diào)整步長的函數(shù)關(guān)系來量化為查找表，通過查找所述查找表得到所述讀電壓調(diào)整步長。