[發明專利]顯示裝置和用于制造顯示裝置的方法在審
| 申請號: | 202110379062.8 | 申請日: | 2021-04-08 |
| 公開(公告)號: | CN113517320A | 公開(公告)日: | 2021-10-19 |
| 發明(設計)人: | 全景辰;具素英;金億洙;金亨俊;林俊亨 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京鉦霖知識產權代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艷;馮志云 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 用于 制造 方法 | ||
一種顯示裝置和一種用于制造顯示裝置的方法,所述顯示裝置包括:基板;第一導電層,位于基板上并且包括下部阻光圖案和第一信號線;緩沖層,位于第一導電層上;半導體層,位于緩沖層上并且包括第一半導體圖案和與第一半導體圖案分離的第二半導體圖案;絕緣層,位于半導體層上并且包括絕緣層圖案;第二導電層,位于絕緣層上并且包括第二信號線;平坦化層,位于第二導電層上;以及第三導電層,位于平坦化層上并且包括陽極電極。第一半導體圖案通過陽極電極電連接到下部阻光圖案,并且第二半導體圖案的至少一部分與第一信號線和第二信號線中的每一條絕緣并重疊。
本申請要求于2020年4月9日提交的第10-2020-0043332號韓國專利申請的優先權及從其產生的所有權益,上述韓國專利申請的內容通過引用全部包含于此。
技術領域
本公開涉及顯示裝置和用于制造顯示裝置的方法。
背景技術
向用戶提供圖像的諸如電視機、智能電話、平板PC、數碼相機、膝上型計算機和導航系統的電子裝置包括用于顯示圖像的顯示裝置。
顯示裝置是用于顯示圖像的裝置,并且包括諸如發光顯示面板或液晶顯示面板的顯示面板。在上述面板中,發光顯示面板可以包括發光元件。發光二極管(“LED”)的示例包括使用有機材料作為熒光材料的有機發光二極管(“OLED”)和使用無機材料作為熒光材料的無機發光二極管。
顯示裝置可以包括多個像素和用于驅動每個像素的像素電路。每個像素電路包括薄膜晶體管和形成在絕緣基板上的布線。
發明內容
在每個像素內,在其中各條布線重疊的部分中可能生成寄生電容器。本公開的各方面提供了一種能夠抑制或防止寄生電容器的形成的顯示裝置。
本公開的各方面還提供制造能夠抑制或防止寄生電容器的形成的顯示裝置的方法。
然而,本公開的各方面不限于本文中闡述的那些方面。通過參考下面給出的本公開的詳細描述,本公開的以上和其他方面對于本公開所屬領域的普通技術人員而言將變得更明顯。
顯示裝置的實施例包括:基板;第一導電層,所述第一導電層設置在所述基板上,并且包括下部阻光圖案和第一信號線;緩沖層,所述緩沖層設置在所述第一導電層上;半導體層,所述半導體層設置在所述緩沖層上,并且包括第一半導體圖案和與所述第一半導體圖案分離的第二半導體圖案,所述第一半導體圖案包括晶體管的溝道區;絕緣層,所述絕緣層設置在所述半導體層上,并且包括絕緣層圖案;第二導電層,所述第二導電層設置在所述絕緣層上,并且包括第二信號線;平坦化層,所述平坦化層設置在所述第二導電層上;以及第三導電層,所述第三導電層設置在所述平坦化層上,并且包括陽極電極,其中,所述第一半導體圖案通過所述陽極電極電連接到所述下部阻光圖案,并且其中,所述第二半導體圖案的至少一部分在厚度方向上與所述第一信號線和所述第二信號線中的每一條絕緣并重疊。
在包括存儲電容器和至少一個晶體管的顯示裝置的實施例中,所述至少一個晶體管包括第一半導體圖案,所述顯示裝置包括:基板;第一導電層,所述第一導電層設置在所述基板上,并且包括所述存儲電容器的第一電極和第一信號線;緩沖層,所述緩沖層設置在所述第一導電層上;半導體層,所述半導體層設置在所述緩沖層上,并且包括所述第一半導體圖案和與所述第一半導體圖案分離的第二半導體圖案;絕緣層,所述絕緣層設置在半導體層上;以及第二導電層,所述第二導電層設置在所述絕緣層上,并且包括所述晶體管的柵極電極、所述存儲電容器的第二電極以及第二信號線,其中,所述第一信號線和所述第二信號線在厚度方向上至少在一部分區域中彼此重疊,其中,所述第二半導體圖案的至少一部分設置在所述第一信號線和所述第二信號線彼此重疊的重疊區域中,并且其中,在所述重疊區域中,所述第一信號線和所述第二信號線之間的在所述厚度方向上的距離大于所述存儲電容器的所述第一電極和所述第二電極之間的在所述厚度方向上的距離。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





