[發明專利]用于混合激光器的熱量處理

在審

• 申請號: 202110378933.4
• 申請日: 2021-04-08
• 公開（公告）號: CN114156730A
• 公開（公告）日: 2022-03-08
• 發明（設計）人: 梁迪;C·C·施;K·B·利;G·庫茲韋爾;M·菲奧倫蒂諾
• 申請（專利權）人: 慧與發展有限責任合伙企業
• 主分類號: H01S5/024
• 分類號: H01S5/024;H01S5/0225;H01S5/023
• 代理公司: 北京市漢坤律師事務所 11602
• 代理人: 王其文;張濤

1.一種光柵耦合表面發射(GCSE)梳狀激光器的系統，包括：

GCSE激光器芯片；

兩個支撐條，其中所述GCSE激光器芯片被定位在所述兩個支撐條之間，所述兩個支撐條與所述GCSE激光器芯片的相應側面間隔開，并且每個支撐條的高度均高于所述GCSE激光器芯片的高度；

散熱器，所述散熱器被定位在所述兩個支撐條之上，使得熱量從所述GCSE激光器芯片耗散；和

導熱片，所述導熱片被定位在所述散熱器與所述兩個支撐條之間。

2.如權利要求1所述的光柵耦合表面發射(GCSE)梳狀激光器的系統，進一步包括在所述GCSE激光器芯片下方的絕緣體上硅(SOI)Si光子中介層。

3.如權利要求2所述的光柵耦合表面發射(GCSE)梳狀激光器的系統，進一步包括用于將所述GCSE激光器芯片結合到所述SOI Si光子中介層上的焊接接頭。

4.如權利要求3所述的光柵耦合表面發射(GCSE)梳狀激光器的系統，其中，所述焊接接頭從所述GCSE激光器芯片提取熱量，并且將所提取的熱量沿著形成在所述SOI Si光子中介層頂部的Si層引導。

5.如權利要求3所述的光柵耦合表面發射(GCSE)梳狀激光器的系統，包括：

基板，所述基板位于所述SOI Si光子中介層下方；

硅通孔(TSV)，所述硅通孔從所述GCSE激光器芯片穿過所述SOI Si光子中介層隧穿到所述基板；以及

附加焊接接頭，所述附加焊接接頭用于將兩個TSV結合到所述GCSE激光器芯片。

6.如權利要求5所述的光柵耦合表面發射(GCSE)梳狀激光器的系統，其中，來自所述GCSE激光器芯片的熱量通過所述附加焊接接頭經由所述兩個TSV朝向所述基板耗散。

7.如權利要求1所述的光柵耦合表面發射(GCSE)梳狀激光器的系統，其中，所述兩個支撐條高于所述GCSE激光器芯片和所述焊接接頭的高度。

8.如權利要求6所述的光柵耦合表面發射(GCSE)梳狀激光器的系統，包括：

散熱器氣隙，由于所述兩個支撐條的尺寸，形成在所述散熱器與所述GCSE激光器芯片之間。

9.如權利要求8所述的光柵耦合表面發射(GCSE)梳狀激光器的系統，其中，所述散熱器與所述GCSE激光器芯片之間的所述散熱器氣隙將所述散熱器與所述GCSE激光器芯片分隔開。

10.如權利要求1所述的光柵耦合表面發射(GCSE)梳狀激光器的系統，其中，所述導熱片包裹在加強塊周圍。

11.如權利要求10所述的光柵耦合表面發射(GCSE)梳狀激光器的系統，進一步包括設置在所述散熱器與所述導熱片之間的熱界面材料。

12.如權利要求11所述的光柵耦合表面發射(GCSE)梳狀激光器的系統，其中，所述導熱片包括石墨或石墨烯。

13.如權利要求12所述的光柵耦合表面發射(GCSE)梳狀激光器的系統，其中，所述導熱片將熱量從所述GCSE激光器芯片的背面傳導走。

14.如權利要求1所述的光柵耦合表面發射(GCSE)梳狀激光器的系統，進一步包括：

附加GCSE激光器芯片；

專用集成電路(ASIC)，所述專用集成電路被定位在兩個GCSE激光器芯片之間；

兩個附加支撐條，其中，所述附加GCSE激光器芯片被定位在所述兩個附加支撐條之間，所述兩個附加支撐條與所述附加GCSE激光器芯片的相應側面間隔開；

其中，所述散熱器被定位在所述兩個附加支撐條之上，使得熱量從所述附加GCSE激光器芯片耗散，并且所述散熱器與所述附加GCSE激光器芯片分隔開以免直接物理接觸。