[發明專利]一種提高micro-led柔性與互連可靠性的方法

有效

• 申請號: 202110378750.2
• 申請日: 2021-04-08
• 公開（公告）號: CN112951874B
• 公開（公告）日: 2022-09-09
• 發明（設計）人: 錢新;肖曉雨;陳桂;晏雅媚;朱文輝
• 申請（專利權）人: 長沙安牧泉智能科技有限公司;中南大學
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/62
• 代理公司: 長沙軒榮專利代理有限公司 43235
• 代理人: 李喆

本發明提供了一種提高micro?led柔性與互連可靠性的方法，其特征在于，包括以下步驟：步驟1：將一個Micro?led大陣列中的像素點劃分為多個Micro?led小陣列，其中，每個像素點對應一個金屬凸點，每個小陣列的凸點通過得重布線技術在電路上互相連通；步驟2：將Micro?led與CMOS進行倒裝互連，其中，一個Micro?led小陣列與一個CMOS像素點互連。本發明將一組Micro?led小陣列與一個CMOS像素點進行互連，即一種1對n的互連方式，使這一小陣列中只要有一個金屬凸點與CMOS像素點實現導通即可點亮這一小陣列內所有Micro?led像素點。更好地實現柔性顯示，同時提高了金屬凸點倒裝工藝的可靠性，保障了Micro?led器件顯示的穩定性。

技術領域

本發明涉及micro-led金屬凸點倒裝互連技術領域，特別涉及一種提高micro-led柔性與互連可靠性的方法。

背景技術

Micro-led即微型發光二極管，LED微縮化和矩陣化技術。在一個芯片上集成的高密度微小尺寸的LED陣列，LED顯示屏每一個點像素可定址、單獨驅動點亮，這一技術的發展應用可極大程度上的提高LED設備的分辨率。

Micro-led一般由LED芯片和驅動基板集成互連而成。首先在LED芯片上制作金屬凸點，在驅動基板上制作對應的UBM(焊點下金屬層)，再通過倒裝焊接技術，

Micro-led需要將每一個像素點與CMOS基板實現互連從而實現整體芯片的點亮，互連的方式主要有金屬凸點倒裝互連和引線鍵合兩種，由于倒裝互連技術所需封裝體積較小，為了實現Micro-led的小型化和精密化，倒裝技術成為現在研究發展的重點方向，但由于技術的限制，高密度凸點在受熱加壓的情況下容易發生膨脹變形，導致互連失效，因此，現階段10微米及以下的金屬凸點倒裝技術難以達到較高的良率。

發明內容

本發明提供了一種提高micro-led柔性與互連可靠性的方法，其目的是為了提高micro-led倒裝互連的可靠性和micro-led設備的柔性化顯示，同時，實現微小尺寸的金屬凸點倒裝互連。

為了達到上述目的，本發明提供了一種提高micro-led柔性與互連可靠性的方法，包括以下步驟：

步驟1：將一個Micro-led大陣列中的像素點劃分為多個Micro-led小陣列，其中，每個像素點對應一個金屬凸點，每個小陣列的凸點通過重布線技術在電路上互相連通。

步驟2：將Micro-led與CMOS進行倒裝互連，其中，一個Micro-led小陣列與一個CMOS像素點互連。

優選地，所述Micro-led小陣列為AXB陣列，所述A，B為大于等于1的整數。

優選地，所述AXB陣列中，A＝3、4、5，B＝3、4、5。

優選地，所述像素點的邊長為10～200μm。

優選地，所述Micro-led小陣列邊長為10～600μm。

優選地，所述金屬凸點為Micro-led芯片上生長金屬銅、金、錫、銦中的一種或幾種而得。

優選地，所述凸點之間的間距為10～20um。

優選地，所述一個Micro-led小陣列與一個CMOS像素點面積相同。

優選地，所述步驟2中，倒裝互連方式為熱壓焊。

優選地，所述熱壓焊的溫度為80～320℃，壓力：1～20g/個凸點，壓力作用時間為10～120s。

本發明的上述方案有如下的有益效果：