[發明專利]一種適用于多電芯的芯片級聯采集裝置

在審

• 申請號: 202110378469.9
• 申請日: 2021-04-08
• 公開（公告）號: CN113140814A
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 何浩輝
• 申請（專利權）人: 江蘇博強新能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01M10/42
• 分類號: H01M10/42;H01M50/569
• 代理公司: 上海科盛知識產權代理有限公司 31225
• 代理人: 翁惠瑜

1.一種適用于多電芯的芯片級聯采集裝置，包括級聯的至少兩個采集芯片，級聯的第一個采集芯片與MCU連接，其余采集芯片通過隔離芯片與MCU連接，其特征在于，至少在第一個采集芯片的地線處連接與有用于抵消其他采集芯片功耗的功耗補償電路。

2.根據權利要求1所述的適用于多電芯的芯片級聯采集裝置，其特征在于，所述功耗補償電路連接于對應采集芯片的地線與該采集芯片所連接的最后一節電芯之間。

3.根據權利要求2所述的適用于多電芯的芯片級聯采集裝置，其特征在于，所述功耗補償電路包括半導體器件，該半導體器件分別通過一電阻連接所述最后一節電芯、地以及補償開關。

4.根據權利要求3所述的適用于多電芯的芯片級聯采集裝置，其特征在于，所述半導體器件包括三極管、MOS管或光耦。

5.根據權利要求1所述的適用于多電芯的芯片級聯采集裝置，其特征在于，所述隔離芯片連接有隔離電源，所述隔離電源與總電源連接。

6.根據權利要求4所述的適用于多電芯的芯片級聯采集裝置，其特征在于，所述隔離芯片和隔離電源一體化封裝設置。

7.根據權利要求1或5所述的適用于多電芯的芯片級聯采集裝置，其特征在于，所述第一個采集芯片具有充放電MOS驅動端，所述MCU采集各所述其余采集芯片的電壓信號后融合產生一第一驅動指令，傳輸至所述第一個采集芯片，所述第一個采集芯片組合所述第一驅動指令與自身電壓信號產生第二驅動指令，通過所述充放電MOS驅動端發出。

8.根據權利要求1或5所述的適用于多電芯的芯片級聯采集裝置，其特征在于，所述MCU連接有MOS驅動芯片，所述MCU采集所有所述采集芯片的電壓信號后融合產生一驅動指令，通過所述MOS驅動芯片發出。

9.根據權利要求1或5所述的適用于多電芯的芯片級聯采集裝置，其特征在于，所述第一個采集芯片的供電端通過降壓模塊與總電源連接，所述其余采集芯片由其所連接的電芯提供電源。

10.根據權利要求9所述的適用于多電芯的芯片級聯采集裝置，其特征在于，所述降壓模塊包括LDO或穩壓二級管。